AFT26HW050GSR3
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/aft26hw050gsr3.html
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Numéro de pièce du fabricant : AFT26HW050GSR3
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant : NXP SEMICONDUCTORS
Description du paquet:,
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.29.00.40
Fabricant : NXP Semiconductors
Classement de risque: 5.69
Configuration: unique
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Temps
PUISSANCE RF, FET
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant : NXP SEMICONDUCTORS
Description du paquet:,
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.29.00.40
Fabricant : NXP Semiconductors
Classement de risque: 5.69
Configuration: unique
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Temps
PUISSANCE RF, FET
« VI-J1P-EX MG150M2CK1 »