La nouvelle famille de circuits d'attaque en demi-pont offre une robustesse dans les systèmes haute puissance

Mise à jour : 4 mai 2023

EiceDRIVER 6ED223xS12T 1200 V silicium sur isolateur Trois phases gate driver, Infineon Technologies AG élargit son portefeuille avec la famille EiceDRIVER 2ED132xS12x. La configuration en demi-pont du pilote IC complète la série SOI 1200V actuelle, offrant aux clients plus d'options et une flexibilité de conception. La capacité de courant de sortie accrue étend l'applicabilité du portefeuille à des niveaux de puissance système plus élevés. Les dispositifs offrent une immunité contre les transitoires négatifs VS, une protection contre les tirs traversants, un verrouillage en cas de sous-tension et une protection rapide contre les surintensités. Ces options réduisent la nomenclature et permettent une conception plus robuste avec un facteur de forme compact idéal pour les applications à haute puissance, y compris les systèmes CVC commerciaux, les pompes à chaleur, les servomoteurs, les onduleurs industriels, les pompes et les ventilateurs jusqu'à 10 kW.

Ces circuits d'attaque en demi-pont comprennent quatre versions dans deux boîtiers : Le 2ED132xS12M est fourni dans un boîtier DSO-16 300 mil et offre une capacité de courant de +2.3 A/-4.6 A. Alors que le 2ED132xS12P est fourni dans un boîtier DSO-20 300 mil et prend en charge la capacité d'entraînement de courant +2.3A/-2.3A. La famille offre les meilleures performances de commutation de sa catégorie dans des boîtiers avec des lignes de fuite et des lignes de dégagement suffisantes. Ces produits combinent une diode d'amorçage à faible résistance (30 ohms), un OCP ultra-rapide et précis (tolérance de ± 5 %), une entrée d'activation, une sortie de défaut et une réinitialisation de défaut programmable avec une logique séparée (VSS) et une masse de sortie (COM) épingles. La variante 2ED132xS12M offre des fonctionnalités supplémentaires de Active Miller Clamp et Short circuit Serrer.

Le SOI de l'entreprise sans souci supprime la structure parasite du thyristor et offre une robustesse et une immunité exceptionnelles aux tensions transitoires négatives sur la broche VS. Cela garantit l'immunité aux transitoires -VS de 100 V lors d'impulsions répétées de 700 ns. De plus, les appareils sont conformes à la directive RoHS et résistent aux décharges électrostatiques et à l'humidité.

PCIM Europe 2023, stand 412, hall 7, 9-11 mai 2023.

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