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non recommandé pour une nouvelle conception Caractéristiques: Entrée MOS (contrôlée en tension) Canal N, Si homogène Boîtier à faible inductance Courant de queue très faible avec dépendance à basse température Capacité de court-circuit élevée, autolimitation à 6 x I cnom Sans verrouillage CAL inverse rapide et doux diodes Plaque de base en cuivre isolée utilisant DCB Direct Copper Bonding Large jeu (10 mm) et lignes de fuite (20 mm) Applications typiques: Commutation (pas pour une utilisation linéaire) Variateurs AC SKM145GB123D
Semikron IGBT SKM145GB123D
Shunlongwei inspecté chaque SKM145GB123D avant l'expédition, tous les SKM145GB123D avec une garantie de 6 mois.