Vous trouverez ci-dessous une galerie de tous les gagnants recevant leurs prix. Cliquez simplement sur les images pour les agrandir. Voir également : Galerie de photos : Participantes – Women Leaders In Electronics Awards La liste complète des gagnants par catégorie peut être consultée ici. Félicitations à tous les gagnants ainsi qu'à ceux qui ont été présélectionnés ou hautement […]
Ils sont « conçus pour gérer des courants élevés » et « conçus pour résister à des conditions environnementales difficiles », selon l'entreprise. Des connecteurs pour câbles de 16 à 95 mm2 sont disponibles, avec des contacts en alliage de cuivre finis en argent et approuvés selon UL 4128. La durée de vie prévue des connexions mécaniques, sans charge électrique, est > 100 cycles. Ce sont deux […]
Les modules sont livrés avec ou sans diode Schottky co-packagée, avec des intensités nominales comprises entre 30 et 113 A et une résistance à l'état passant s'étendant respectivement de 80 mΩ à 20 mΩ (voir tableau). Le boîtier SOT-227 est conçu pour être boulonné sur un dissipateur thermique et dispose de bornes à vis pour ses connexions électriques. L'empreinte sur le dissipateur thermique est de 38 x 25 mm, et il […]
Le Semikron SKKT 570/16 E est un module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) avec des caractéristiques et valeurs électriques spécifiques. Voici un aperçu des informations fournies : Caractéristiques électriques : Indices de température : Autres indices :
Toshiba Electronics Europe GmbH a développé un nouveau MOSFET SiC évalué à 2200 1500 V avec SBD intégré pour une utilisation dans les applications XNUMX XNUMX V CC telles que les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs de véhicules électriques, les convertisseurs CC-CC haute fréquence et les systèmes de stockage d'énergie. Le nouveau dispositif simplifie la conception des onduleurs et augmente la densité de puissance, réduisant ainsi la taille et le poids. Les onduleurs conventionnels à trois niveaux affichent de faibles pertes de commutation, car […]
Les onduleurs conventionnels à trois niveaux présentent de faibles pertes de commutation, car la tension à l'état bloqué aux bornes des dispositifs de commutation est la moitié de la tension secteur. En comparaison, les onduleurs à deux niveaux comportent moins de modules de commutation, ce qui les rend plus simples, plus petits et plus légers. Cependant, ils nécessitent des dispositifs semi-conducteurs avec une tension de claquage plus élevée, car la tension appliquée est la tension de ligne. Relever ce défi est important […]
Module IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) PHT250N16. Ces spécifications décrivent les valeurs nominales et les caractéristiques maximales du module IGBT dans différentes conditions de fonctionnement. Voici une répartition des informations que vous avez fournies :
Le SanRex MDF250A20L est un module de diode redresseur haute puissance fabriqué par SanRex Corporation. Il est conçu pour être utilisé dans les circuits de rectification et offre des caractéristiques de haute performance pour diverses applications. Voici un résumé de ses détails, caractéristiques et spécifications : Présentation du module : Le SanRex MDF250A20L est un module à diode conçu pour être utilisé dans les circuits de redressement. Il comporte un […]
L'Eupec TT250N16KOF est un module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) avec des fonctionnalités, des applications et des valeurs nominales maximales spécifiques. Voici les informations que vous avez fournies : Caractéristiques : Applications : Notes et caractéristiques maximales :