Les coûts d'emballage du module d'alimentation dépendent entièrement des matériaux d'emballage, tels que les matériaux de fixation des puces et de substrat en céramique, ainsi que de la taille du boîtier. En 2023, cela représentait un marché de 2.3 milliards de dollars, le coût des matériaux pour l'emballage des modules de puissance représentant environ 2023 % du coût total des modules de puissance. Le coût des matériaux aura […]
Hitachi Semiconductor et Mitsubishi Electric étaient les partenaires fondateurs de Renesas en 2002, tandis que NEC Electronics, la branche semi-conducteurs de NEC, a rejoint Renesas en 2010. En 2013, le fonds soutenu par l'État INCJ a pris une participation de 69 %. Depuis lors, Renesas a connu un succès avec un cours de son action multiplié par 13 et un chiffre d'affaires par employé de 2022 480,000 $ en XNUMX, […]
« Module IGBT Mitsubishi CM800DU-12H : spécifications, caractéristiques et détails de performances pour les applications haute puissance » Spécifications CM800DU-12H :
Spécifications du module IGBT Mitsubishi QM150DY-H Découvrez les fonctionnalités de pointe du module IGBT Mitsubishi QM150DY-H, une solution puissante pour diverses applications industrielles. Caractéristiques principales : Détails des performances : Applications : Conception polyvalente : Performances fiables :
Spécifications du module IGBT Mitsubishi CM400DU-24NFH : Caractéristiques électriques : Détails opérationnels : Informations sur l'emballage : Environnement et divers : Détails du fabricant : Informations sur le terminal :
Le Mitsubishi PM15RSH120 est un module d'alimentation intelligent (IPM) conçu pour les applications hautes performances, tirant parti de la technologie IGBT avancée pour un fonctionnement fiable et résistant aux dommages. Ce module de qualité supérieure présente une conception robuste et est équipé d'un pilote de porte logique intégré, optimisant la fonctionnalité du module à transistor. Les principales caractéristiques du PM15RSH120 incluent un circuit d'alimentation complet […]
4 décembre 2023 — Nexperia a récemment annoncé ses premiers MOSFET en carbure de silicium (SiC) avec le lancement de deux dispositifs discrets de 1200 3 V dans un boîtier TO-247 à 40 broches avec des valeurs RDS(on) de 80 mΩ et 040120 mΩ. NSF3L0A080120 et NSF3L0AXNUMX sont les premiers d'une série de versions prévues qui verront le portefeuille de MOSFET SiC de Nexperia s'étendre rapidement à […]
15 novembre 2023 — Nexperia a récemment annoncé avoir conclu un partenariat stratégique avec Mitsubishi Electric Corporation pour développer conjointement des MOSFET en carbure de silicium (SiC). Cette collaboration verra Nexperia et Mitsubishi Electric, deux sociétés leaders dans leurs secteurs respectifs, unir leurs forces pour pousser l'efficacité énergétique et les performances des semi-conducteurs SiC à large bande interdite à […]