Vishay Intertechnology, Inc. a présenté hier une nouvelle alimentation polyvalente TrenchFET® Gen V 30 V à canal N mosfet qui offre une densité de puissance et une efficacité accrues pour les topologies isolées et non isolées.
Proposé dans le boîtier PowerPAK® 3.3-3.3S thermiquement amélioré de 1212 mm sur 8 mm, le Vishay Siliconix SiSS52DN présente la meilleure résistance à l'état passant de sa catégorie de 0.95 mΩ à 10 V, soit une amélioration de 5 % par rapport au produit de la génération précédente. De plus, le dispositif offre une résistance à l'état passant de 1.5 mΩ à 4.5 V, tandis que sa résistance à l'état passant de 29.8 mΩ*nC fois la charge de grille à 4.5 V — un facteur de mérite critique (FOM) pour les mosfets utilisés dans les applications de commutation — est l'un des le plus bas du marché.
Le FOM du SiSS52DN représente une amélioration de 29% par rapport aux appareils de la génération précédente, ce qui se traduit par une réduction des pertes de conduction et de commutation pour économiser l'énergie dans les applications de conversion de puissance.
Le SiSS52DN est idéal pour la commutation côté bas pour le redressement synchrone, les convertisseurs abaisseurs synchrones, Convertisseurs DC / DC, les topologies de réservoir de commutation, les FET en anneau OU et les commutateurs de charge pour les alimentations électriques des serveurs et des équipements de télécommunications et RF. En offrant des performances élevées dans des topologies isolées et non isolées, le MOSFET simplifie la sélection des pièces pour les concepteurs travaillant avec les deux.
L'appareil est testé à 100% RG et UIS, conforme RoHS et sans halogène.
Des échantillons et des quantités de production du SiSS52DN sont disponibles dès maintenant, avec des délais de livraison de 12 semaines.