Les premiers SSD TLC 112D 3 couches de qualité industrielle au monde

Mise à jour : 27 juillet 2021

Innodisk a lancé ce qu'il prétend être les premiers SSD TLC 112D 3 couches de qualité industrielle au monde, intégrant les séries SATA 3TG6-P et 3TE7 et les séries PCIe Gen3x4 et Gen4x4.

La nouvelle série TLC SSD marque le développement continu de l'entreprise avec une conception NAND 3D, offrant une plus grande efficacité, des performances plus rapides et une capacité accrue. Par rapport à la précédente couche 96 sans souci qui fournissait un maximum de 2 To de stockage, la nouvelle série PCIe Gen 112×4 à 4 couches étend la capacité à 8 To pour le SSD U.2 et à 4 To pour M.2 (P80). Au-delà des augmentations de capacité, la couche 112 est également plus rapide, avec la série PCIe Gen 4×4 cadencé à des vitesses allant jusqu'à 7500 6700/8 3800 Mo/s (3000 CH) et 4 XNUMX/XNUMX XNUMX Mo/s (XNUMX CH).

L'augmentation marquée des performances satisfait les demandes croissantes des applications et des industries AIoT dans les domaines de la 5G, de l'informatique de pointe, de l'apprentissage en profondeur, de la surveillance intelligente et de la médecine intelligente, où la vitesse et la prise en charge d'une capacité plus élevée sont cruciales.

La nouvelle série 112-Layer 3D TLC SSD possède également d'autres améliorations essentielles pour répondre à la demande du marché industriel et IoT. La fiabilité est primordiale, donc une approche à deux volets de la correction ECC par LDPC au sein d'une page et RAID entre les blocs offre une double couche de protection pour une sécurité accrue des données.

Des performances linéaires cohérentes et stables sont obtenues grâce à un mode d'écriture directe qui réduit les baisses de performances et le WAF. La série offre également une meilleure endurance, une plus grande sécurité des données avec iDataGuard et iPowerGuard intégrés, améliorant la compatibilité et la protection dans les environnements d'alimentation critiques et assurant l'intégrité des données en cas de perte d'alimentation soudaine.