APEC: MOSFET SiC 1,200V dalam kemasan SOT-227

Modul ini dilengkapi dengan atau tanpa dioda Schottky yang dikemas bersama, dengan peringkat arus antara 30 dan 113A, dan resistansi masing-masing berkisar 80mΩ hingga 20mΩ (lihat tabel).

Paket SOT-227 dirancang untuk dibaut ke heatsink, dan memiliki terminal sekrup untuk sambungan listriknya.

Jejak pada heatsink berukuran 38 x 25mm, dan tingginya 12mm tidak termasuk kepala sekrup M4 dan konduktor yang terpasang.

“Semua modul diuji pada pembakaran gerbang tingkat wafer untuk menghasilkan oksida gerbang berkualitas tinggi dengan tegangan ambang gerbang yang stabil,” menurut perusahaan. “Selain uji burn-in, yang membantu menstabilkan tingkat kegagalan ekstrinsik, pengujian seperti tegangan gerbang, tegangan saluran bias balik suhu tinggi, dan H3TRB [kelembaban tinggi, tegangan, dan suhu] memastikan tingkat kualitas tingkat industri yang diperlukan.”

Memilih 1.2kV 18mΩ 113A GCMS020B120S1-E1 MOSFET ditambah Schottky sebagai contoh, dioda dapat menangani hingga 106A secara terus menerus dan mosfet dapat berdenyut hingga 250A. Hingga 395W dapat ditangani pada suhu 25°C dan sambungannya ditentukan antara -55 hingga +175°C.

Penggerak gerbang yang disarankan adalah -5 hingga +20V, dengan maksimum -10V dan +25V. Kapasitansi masukan adalah 5.3nF.

Penerapannya diperkirakan akan diterapkan pada pengisi daya kendaraan listrik termasuk pengisi daya on-board, konverter energi surya dan angin, serta pasokan listrik pusat data.

“Kami sangat bersemangat untuk memamerkan rangkaian modul MOSFET 1,200V baru kami di APEC,” kata presiden perusahaan Timothy Han. “Modul daya kami menonjol karena pengujian ketat yang menjamin keandalan. Semua modul telah menjalani pengujian melebihi 1,350V. Dari pengujian gate burn-in hingga stress test seperti HTRB dan H3TRB, kami memprioritaskan stabilitas dan kualitas.”

APEC akan diadakan di Long Beach California pada tanggal 25-29 Februari. Temukan SemiQ di booth 2245.

Lembar data GCMS020B120S1-E1 dapat ditemukan di sini