Peningkatan kekuatan Semikonduktor Perangkat sangat penting untuk aplikasi catu daya yang diperlukan dalam program luar angkasa NASA jangka panjang seperti "Bulan ke Mars" yang bertujuan untuk mengirim manusia ke permukaan Bulan pada tahun 2024 dan membangun eksplorasi berkelanjutan pada akhir dekade ini.
“Proyek ini terdiri dari pengembangan pemberdayaan teknologi untuk mempercepat kemajuan besar dalam efisiensi sistem tenaga pesawat ruang angkasa dengan melakukan perbaikan dalam jumlah besar tegangan Kekerasan radiasi transistor daya kompatibel dengan proses manufaktur volume tinggi yang hemat biaya, ”kata Samuel J. Anderson, pendiri dan ketua IceMOS Technology. “Persyaratan keandalan dari lingkungan operasi luar angkasa yang tidak bersahabat menghadirkan serangkaian tantangan unik yang ingin kami tangani dengan teknologi perangkat inovatif kami.”
Transistor daya IceMOS akan menggabungkan drain yang direkayasa SiC untuk memanfaatkan kinerja resistansi rendah dari material Wide Band Gap (WBG).
Penghargaan pengembangan ini untuk mendukung inisiatif NASA untuk mewujudkan terobosan teknologi pada Ukuran, Berat dan Daya (SWaP) yang akan diterjemahkan ke dalam transistor efisiensi tinggi, ukuran kecil, dan keandalan tinggi sebagai komponen yang memungkinkan dalam catu daya pesawat ruang angkasa.
Atribut yang sama yang dihargai oleh NASA untuk distribusi daya yang efisien di lingkungan yang keras juga penting bagi pengembang sistem elektronik daya dalam aplikasi non-ruang angkasa untuk memenuhi permintaan masyarakat yang meningkat akan konservasi energi.