CM100DY-24NF sangat kuat dan efisien IGBT (Gerbang Bipolar Terisolasi Transistor) Transistor modul dirancang untuk berbagai aplikasi berdaya tinggi. Dengan spesifikasi dan keandalannya yang mengesankan, modul ini memberikan solusi komprehensif untuk proyek-proyek yang menuntut. Dalam gambaran umum ini, kita akan mengeksplorasi fitur dan spesifikasi modul transistor CM100DY-24NF.
Ikhtisar Modul Transistor CM100DY-24NF:
Modul CM100DY-24NF dirancang untuk arus tinggi dan tegangan persyaratan. Ini memiliki peringkat arus kolektor DC 100A, sehingga cocok untuk aplikasi yang menuntut pengiriman daya yang kuat. Kolektor-emitor tegangan (Vces) 1.2kV memungkinkan manajemen dan kontrol daya yang efisien.
Spesifikasi dan Fitur Utama:
Modul CM100DY-24NF membanggakan peringkat disipasi daya (Pd) 650W, memastikan kinerja yang andal bahkan dalam kondisi yang menuntut. Tegangan kolektor-emitornya (V(br)ceo) juga berdiri di 1.2kV, menunjukkan kemampuannya untuk menangani aplikasi tegangan tinggi secara efektif.
Modul ini hadir dalam modul model case transistor kompak dengan tujuh pin, memberikan kemudahan integrasi dan pemasangan. Desain dan konstruksinya memastikan pembuangan panas dan manajemen termal yang efisien.
Modul CM100DY-24NF dapat beroperasi pada suhu maksimum 150°C, sehingga dapat menahan suhu tinggi di berbagai lingkungan.
Kesimpulan:
Modul transistor CM100DY-24NF menawarkan solusi kinerja tinggi untuk aplikasi daya tinggi. Dengan kemampuan penanganan arus dan voltase yang mengesankan, modul ini sangat cocok untuk berbagai proyek, termasuk penggerak industri, catu daya, dan sistem energi terbarukan. Dengan memasukkan modul CM100DY-24NF ke dalam desain Anda, Anda dapat meningkatkan manajemen daya, meningkatkan keandalan, dan memastikan pengoperasian yang efisien di lingkungan yang menuntut.