Mitsubishi PM450CG1C065 adalah Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi berdaya tinggi (IGBT) modul dirancang dan diproduksi oleh Mitsubishi Electric Corporation. Ia menemukan aplikasi dalam berbagai sistem konversi daya, aplikasi kontrol motor, dan sistem elektronik berdaya tinggi lainnya. Berikut adalah fitur dan spesifikasi utama modul ini:
Fitur PM450CG1C065:
a) Chip CSTBTTM Gerbang Penuh: Modul ini menggunakan chip Full-Gate CSTBTTM (Conductive Storage IGBT) untuk pengoperasiannya.
b) Perlindungan Over-Temperature: Modul mencakup perlindungan suhu berlebih yang memantau suhu permukaan chip dari chip CSTBTTM.
c) Sinyal Keluaran Kesalahan: Modul memberikan sinyal output kesalahan untuk setiap lengan proteksi, yang menunjukkan status seperti proteksi hubung singkat, proteksi arus berlebih, dan proteksi suhu berlebih.
d) Deteksi Keadaan Abnormal: Modul dapat mengidentifikasi dan mengeluarkan sinyal kesalahan yang sesuai dengan keadaan tidak normal, membantu mendiagnosis masalah.
spesifikasi:
- Tegangan Kolektor-Emitter (VD=15 V, VCIN=15 V): VCES 650 V
- Arus Kolektor (TC=25 °C): IC450A
- Pulsa Arus Kolektor: ICRM 675 A
- Pembuangan Daya Total (TC=25 °C): Ptot 1388 W
- Arus Emitor (TC=25 °C): YAITU 450A
- Free-Wheeling Diode Arus Maju (Pulsa): IERM 675 A
- Suhu Persimpangan (Note5): TVj -20 ~ +150 °C
- Tegangan Isolasi (60Hz, Sinusoidal, Bagian yang terisi daya ke pelat Dasar, AC 1 mnt, RMS): Viskositas 2500V