Induktor daya semi-terlindung memberikan induktansi tinggi dan Q . tinggi

Bourns, Inc. telah memperkenalkan kekuatan semi-terlindung Model SRN2012T Induktor seri yang menampilkan konstruksi wirewound pada inti ferit untuk menawarkan induktansi tinggi dan nilai Q. Lapisan epoksi magnetik yang diterapkan pada perimeter belitan induktor memberikan perisai yang ditingkatkan dan radiasi medan magnet yang lebih rendah dibandingkan dengan opsi yang tidak terlindung, kata perusahaan tersebut.

Fitur utama lainnya termasuk frekuensi resonansi diri yang tinggi, resistansi DC rendah dalam ukuran yang ringkas, dan kisaran suhu pengoperasian -40 ° C hingga 125 ° C. Bersama-sama, fitur-fitur ini membuat induktor Model SRN2012T cocok untuk pemrosesan sinyal RF, sirkuit resonansi, decoupling dan filter kebisingan, dan aplikasi saluran listrik DC untuk headset audio, headset stereo nirkabel sejati, modem kabel, set-top box, hard disk drive, tablet , dan berbagai perangkat elektronik seluler.

Bourns mencatat bahwa resistansi DC yang lebih rendah dan nilai Q yang tinggi dari 13 hingga 15 dimungkinkan dalam induktor daya miniatur (2 × 1.2 × 1.2 mm) ini karena konstruksi wirewound. "Nilai Q tinggi memberikan impedansi tinggi pada resonansi di sirkuit induktif-kapasitif dan kerugian rendah pada operasi frekuensi tinggi," kata Bourns.

Seri induktor daya semi-terlindung Model SRN2012T menawarkan kisaran induktansi 1.0 hingga 22 H. Dengan arus saturasi hingga 1100 mA dan arus pengenal hingga 1300 mA, induktor daya dilaporkan mempertahankan induktansi tinggi pada arus puncak yang lebih besar untuk memenuhi persyaratan aplikasi saluran listrik DC umum.

Induktor daya Model SRN2012T tersedia sekarang. Perangkat ini sesuai dengan RoHS dan bebas halogen. Klik di sini untuk informasi lebih lanjut tentang induktor daya Bourns.

tentang Bours