Modul IGBT Semikron SKiM304GD12T4D: Kinerja Daya Tingkat Lanjut Modul IGBT Semikron SKiM304GD12T4D menampilkan fitur-fitur mutakhir yang disesuaikan untuk aplikasi daya tingkat lanjut. Memanfaatkan teknologi Trenchgate, modul ini menawarkan kinerja luar biasa dalam berbagai skenario. Vce(sat) dengan koefisien suhu positif memastikan pengoperasian yang stabil terhadap fluktuasi suhu, sementara kemampuan arus pendeknya yang luar biasa menambah keserbagunaannya. Fitur Aplikasi Khas…
Toshiba MG200H1AL2 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tangguh yang dirancang untuk aplikasi peralihan daya tinggi. Berikut ikhtisar singkat fitur dan spesifikasi utamanya: Deskripsi: MG200H1AL2 adalah modul transistor dengan nilai arus 200 Amps dan nilai tegangan 450 Volt. Beratnya 210 gram (sekitar 0.46 lbs), […]
Modul IGBT Starpower GD200HFL120C2S adalah perangkat semikonduktor daya berkinerja tinggi yang dirancang untuk peralihan dan kontrol daya yang efisien. Berikut adalah detail dan fitur utama Modul IGBT GD200HFL120C2S: Deskripsi Umum: Modul Daya IGBT STARPOWER dirancang untuk memberikan kerugian konduksi yang sangat rendah dan ketangguhan hubung singkat yang tinggi. Ini disesuaikan untuk aplikasi seperti […]
MDS MDS200A1600V merupakan modul IGBT yang terkenal dengan fitur dan spesifikasinya sehingga cocok untuk berbagai aplikasi. Berikut detailnya: Fitur: Peringkat dan Karakteristik Maksimum: Modul IGBT MDS200A1600V dirancang untuk memberikan kemampuan peralihan dan kontrol daya yang efisien. Hal ini ditandai dengan kemampuan penanganan tegangan dan arus yang tinggi, membuat […]
Infineon DDB6U205N16L adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dengan peringkat dan karakteristik maksimum sebagai berikut: Harap dicatat bahwa nilai-nilai ini mewakili peringkat maksimum absolut untuk modul IGBT DDB6U205N16L, dan nilai-nilai ini disediakan untuk pertimbangan operasional dan keselamatan yang tepat dalam berbagai aplikasi .
Infineon FF400R07KE4 adalah modul IGBT ganda 650 V, 400 A yang diproduksi oleh Infineon Technologies. Modul ini dilengkapi teknologi TRENCHSTOP™ IGBT4 bersama dengan dioda yang dikontrol emitor. Ini dirancang untuk aplikasi daya tinggi yang memerlukan peningkatan kemampuan tegangan pemblokiran, kemampuan hubung singkat yang tinggi, dan kinerja listrik yang optimal. Modul ini ditempatkan di standar…
Infineon FF400R06KE3 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang dirancang untuk aplikasi peralihan daya tinggi. Ia hadir dengan peringkat dan karakteristik maksimum spesifik yang membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi industri dan kontrol daya. Berikut adalah spesifikasi dan fitur utama modul IGBT FF400R06KE3: Peringkat dan Karakteristik Maksimum: Modul IGBT FF400R06KE3 …
Infineon #FZ400R17KE3 sangat penting untuk penggunaan yang tepat dan untuk mencegah kerusakan atau kegagalan. Mari kita bahas masing-masing peringkat dan karakteristik maksimum dari komponen ini:
Fuji 2MBI400VG-060 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang dirancang untuk aplikasi daya tinggi yang memerlukan peralihan kecepatan tinggi dan kemampuan penggerak tegangan. Di bawah ini adalah fitur, aplikasi, dan peringkat maksimum modul ini: Fitur: Aplikasi: Peringkat Maksimum (Tc=25°C kecuali ditentukan lain):