Fitur FUSE BussMan FWH-400A: Informasi Umum: Peringkat Tegangan: Peringkat dan Karakteristik Maksimum (Tc=25°C kecuali ditentukan): Konsultasi:
Rohde & Schwarz telah memperkenalkan front-end bandwidth instan 5GHz untuk pengaturan uji radar otomotifnya. “Dari perspektif radar otomotif, bandwidth sesaat yang lebih tinggi meningkatkan resolusi jarak,” kata perusahaan itu. AREG8-81WS (monostatik – antena tunggal) dan AREG8-81WD (bistatik – antena ganda) ditujukan untuk pita 76 hingga 81GHz dan merupakan pembaruan pada 4GHz …
Nomor Bagian: 2MBI300S-120 Deskripsi: 1200V / 300A 2 dalam satu paket (Ini menunjukkan tegangan kolektor-emitor maksimum modul dan kapasitas arus kolektor.) Aplikasi Target: Fitur: Aplikasi: Peringkat dan Karakteristik Maksimum: Peringkat maksimum absolut untuk ini modul (pada suhu sambungan 25°C kecuali ditentukan lain) adalah sebagai berikut: 2MBI300S-120 dirancang untuk aplikasi yang …
Infineon FF800R17KE3 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Berikut rincian mengenai modul ini:
SEMIKRON SKM400GAR12T4D adalah modul Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) berdaya tinggi yang dirancang untuk aplikasi industri yang memerlukan kemampuan penanganan arus dan tegangan tinggi. Berikut rincian modulnya:
Dengan chip IGBT1,200 TRENCHSTOP™ 7 V, Infineon Technologies menghadirkan portofolio modul half-bridge dan emitor umum 62 mm. Kelas arus maksimum 800A yang baru untuk keluarga paket memperluas variasi pilihan dalam housing 62 mm yang teruji dan benar. Penambahan kelas portofolio yang ada memberi desainer sistem banyak kebebasan berkreasi ketika […]
Infineon FF400R06KE3 adalah modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yang dirancang untuk aplikasi peralihan daya tinggi. Ia hadir dengan peringkat dan karakteristik maksimum spesifik yang membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi industri dan kontrol daya. Berikut adalah spesifikasi dan fitur utama modul IGBT FF400R06KE3: Peringkat dan Karakteristik Maksimum: Modul IGBT FF400R06KE3 …
Infineon #FZ400R17KE3 sangat penting untuk penggunaan yang tepat dan untuk mencegah kerusakan atau kegagalan. Mari kita bahas masing-masing peringkat dan karakteristik maksimum dari komponen ini:
Kategori yang berlaku untuk modul IGBT 1MBI800U4B-120 adalah “Modul Semikonduktor Daya” atau “Modul IGBT.” Spesifikasi utama dan catatan penyimpanan/transportasi untuk modul:Tegangan Kolektor-Emitter (VCE): 1200VTegangan Gerbang-Emitor (VGES) : ±20V (pada Tc = 25°C) Arus Kolektor Kontinu (IC): 800A (pada Tc = 80°C) Arus Kolektor Pulsa (ICP): 2400A (1 ms, pada Tc = 25°C) Disipasi Daya Kolektor ( Pc): 4805WSuhu Persimpangan…