Penjualan Email: sales@shunlongwei.com #FS450R12KE3_S1 Modul IGBT – Peringkat dan Karakteristik Maksimum Modul IGBT #FS450R12KE3_S1 memiliki peringkat maksimum absolut berikut (kecuali ditentukan lain pada Tc=25°C):
Teknologi Infineon. Ini dirancang khusus untuk aplikasi peralihan daya tinggi. Berikut beberapa spesifikasi dan fitur utama FP15R12YT3:Produsen: Teknologi InfineonNomor Komponen: FP15R12YT3Jenis Modul Daya: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)Arus Kolektor Maksimum (IC): 15ATegangan Kolektor-Emitor (VCE): 1200VTotal Pembuangan Daya (Ptot): 150WTegangan Gerbang-Emitor (VGES): +/-20VKisaran Suhu: -40 hingga 150°CBerat: Tidak ditentukanBeberapa fitur penting dari …
beralih aplikasi dan menampilkan teknologi canggih untuk pengoperasian yang efisien dan andal. Produsen: Infineon TechnologiesNomor Komponen: FZ1000R16KF4Tipe Modul Daya: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)Arus Kolektor Maksimum (IC): 1000ATegangan Kolektor-Emitor (VCE): 1600VDisipasi Daya Total (Ptot) : 9600WTegangan Puncak Gerbang-Emitor (VGES): +/-20VKisaran Suhu: -40 hingga 150°CBerat: 800gKonfigurasi: Chip IGBT TunggalJenis Paket: ModulGaya Pemasangan: Pemasangan SekrupKemampuan penanganan daya tinggiKonduksi dan peralihan rendah …
FP15R12W1T4 adalah modul daya yang dirancang oleh Infineon Technologies. Ini adalah bagian dari seri produk EconoPACK™ 2, yang menawarkan kepadatan daya tinggi dan efisiensi untuk berbagai aplikasi elektronika daya. Fitur Utama: Kemampuan frekuensi peralihan tinggi Kehilangan daya rendah Dioda roda bebas cepat terintegrasi Desain modul yang ringkas dan kokoh Pelat dasar terisolasi untuk meningkatkan kinerja termal Keandalan tinggi dan masa pakai yang lama Spesifikasi: Modul …
Penjualan Email: sales@shunlongwei.com Memperkenalkan Modul IGBT Infineon BSM200GB120DN2, solusi mutakhir untuk aplikasi elektronika daya. Modul ini merupakan bagian dari rangkaian lengkap Modul IGBT Infineon, yang terkenal dengan kinerja tinggi dan keandalannya. Dirancang untuk memenuhi standar industri, ia menawarkan banyak fitur dan manfaat. BSM200GB120DN2 hadir dalam konfigurasi Half Bridge, menjadikannya serbaguna …
Penjualan Email: sales@shunlongwei.com Infineon FZ2400R17HP4_B2 Modul IGBT Baru Aplikasi Umum: Fitur Listrik: Fitur Mekanis: Peringkat dan Karakteristik Maksimum: (Tc=25°C kecuali ditentukan lain)
Penjualan Email: sales@shunlongwei.com Memperkenalkan modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) baru dari Infineon, BSM75GD120DN2. Modul canggih ini menawarkan fitur dan spesifikasi mengesankan untuk berbagai aplikasi berdaya tinggi. Berikut beberapa detail penting tentang modul ini: Model: BSM75GD120DN2Produsen: Infineon TechnologiesJenis Modul IGBT: IGBT GandaTegangan Kolektor-Emitor Maksimum (Vces): Biasanya 1200VArus Kolektor Kontinu Maksimum (IC): Biasanya 75A …
FP40R12KT3 adalah modul daya atau modul Transistor yang diproduksi oleh Infineon Technologies. Modul ini termasuk dalam keluarga IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dan dirancang untuk aplikasi berdaya tinggi. Berikut adalah beberapa spesifikasi dan fitur utama modul FP40R12KT3: Peringkat Daya 40A dan 1200VKonfigurasi: Ini adalah modul sakelar tunggal, artinya terdiri dari satu …
Penjualan Email: sales@shunlongwei.com BSM35GP120 adalah modul trans IGBT mutakhir yang terkenal dengan kinerja luar biasa dan aplikasi serbaguna. Dilengkapi dengan berbagai fitur mengesankan, modul ini dirancang untuk memenuhi kebutuhan penggerak motor, amplifier penggerak servo, dan sistem catu daya yang tidak pernah terputus. Fitur Utama: VCE Rendah(sabtu): Modul BSM35GP120 menawarkan …