Penjualan Email: sales@shunlongwei.com
Memperkenalkan Infineon BSM200GB120DN2 IGBT Modul, solusi mutakhir untuk aplikasi elektronika daya. Modul ini merupakan bagian dari rangkaian produk Infineon yang luas IGBT Modul, terkenal dengan performa tinggi dan keandalannya. Dirancang untuk memenuhi standar industri, ia menawarkan banyak fitur dan manfaat.
BSM200GB120DN2 hadir dalam konfigurasi Half Bridge, menjadikannya serbaguna dan cocok untuk berbagai jenis sirkit desain. Dengan Kolektor-Emitter maksimum tegangan (VCEO Max) 1200 V, memastikan pengoperasian yang kuat dan efisien. Saturasi Kolektor-Emitor tegangan hanya 2.5 V, meminimalkan kehilangan daya dan meningkatkan efisiensi sistem.
Kredensial mikro IGBT modul membanggakan Arus Kolektor Berkelanjutan 290 A pada 25 ° C, memungkinkannya untuk menangani kebutuhan daya yang besar. Selain itu, Arus Kebocoran Gerbang-Emitter sangat rendah, hanya berukuran 400 nA. Karakteristik ini meningkatkan keandalan sistem dan mencegah pemborosan daya yang tidak perlu.
Berbicara tentang disipasi daya, BSM200GB120DN2 menawarkan Disipasi Daya (Pd) sebesar 1.4 kW, memungkinkannya menangani aplikasi daya tinggi dengan mudah. Paket/Casingnya yang kokoh, dikenal sebagai Half Bridge2, memastikan manajemen termal dan stabilitas mekanis yang andal.
Suhu pengoperasian yang ekstrem bukanlah tantangan untuk ini IGBT modul. Keserbagunaan ini membuatnya cocok untuk berbagai kondisi pengoperasian.
Instalasi disederhanakan berkat Gaya Pemasangan Sekrup, memberikan integrasi yang aman dan nyaman ke dalam sistem Anda. Setiap paket berisi 10 unit, memastikan pasokan yang cukup untuk kebutuhan proyek Anda.
Singkatnya, Infineon BSM200GB120DN2 IGBT Modul adalah solusi berkinerja tinggi, andal, dan sesuai RoHS. Dengan spesifikasinya yang luar biasa, ia memenuhi tuntutan berbagai aplikasi elektronika daya, memastikan kinerja yang efisien dan optimal. Percayai keahlian merek Infineon Technologies untuk menyempurnakan sistem Anda dengan Modul Silikon IGBT terbaik mereka.