Questo, il MasterGaN600 da 4 V, include due transistor di potenza GaN simmetrici da 650 V con resistenza di accensione di 225 mΩ ed è destinato ad applicazioni fino a 200 W.
Il dispositivo va ad aggiungersi al numero crescente di dispositivi di vari produttori che eludono il processo di progettazione dell'azionamento del gate GaN, spesso complicato.
"MasterGaN4 semplifica la progettazione utilizzando semiconduttori di potenza GaN a banda larga eliminando le complesse sfide del controllo del gate e del layout del circuito", secondo l'azienda. È ideale per l'uso in topologie a semiponte simmetriche e in topologie a commutazione graduale come il ritorno attivo del morsetto e il morsetto attivo in avanti. Con ingressi tolleranti a tensioni da 3.3 V a 15 V, può essere controllato collegando i pacchetti direttamente a sensori ad effetto Hall oa un dispositivo CMOS come un microcontrollore, DSP o FPGA ”.
- MasterGaN1 150mΩ 10A high-side e low-side
TV OLED, illuminazione LED, adattatori, telecomunicazioni, server, comunicazioni 5G - MasterGaN2 225 mΩ 6.5 A lato alto 150 mΩ 10 A lato basso
Ricarica rapida, ricarica wireless, adattatori ac-dc, erogazione di alimentazione USB - MasterGaN4 225 mΩ 6.5 A lato alto e lato basso
Illuminazione a LED, PC, comunicazioni 5G
Il funzionamento può variare da -40 a 125 ° C e da 4.75 a 9.5 V.
Il controller host deve fornire segnali digitali separati per i canali high-side e low-side.
La protezione integrata include interblocchi gate-driver, blocco per sottotensione lato basso e lato alto e sovratemperatura. C'è anche un pin di spegnimento dedicato.
Una scheda di valutazione, EVALMASTERGAN4, consente di pilotare il chip direttamente con segnali complementari oppure viene fornito un generatore di tempo morto regolabile per eseguirlo da un singolo PWM. "La scheda offre agli utenti la flessibilità di applicare un segnale di ingresso separato o un segnale PWM, inserire un diodo bootstrap esterno, separare le linee di alimentazione logica e gate-driver e utilizzare uno shunt low-side Resistore per topologie in modalità corrente di picco ", ha affermato ST.
La pagina del prodotto MasterGaN4 è qui
Il riassunto dei dati della scheda di valutazione è qui