Schede tecniche:Serie M50 Brochure sulla commutazione dell'alimentazione a stato solidoSerie M50, circuito 3 DisegnoAltri documenti correlati:SCR Moduli Guida alla selezioneDichiarazione di conformitàModello 3DSerie M50, circuito Serie 3.satM50, circuito Serie 3.dwgM50, circuito 3.stpPacchetto standard:10Categoria:Discreto Semiconduttore Famiglia di prodotti: SCR - Moduli Serie: - Confezione: Bulk Struttura: A ponte, monofase - Tutti gli SCR Numero di SCR, Diodi: 4 SCR Tensione - Stato spento: 1200 V Corrente - Trigger gate (Igt) (Max): 150 mA Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max):-Corrente – Stato attivo (It (RMS)) (Max):100 A (CC)Corrente – Non ripetitivo Surge 50, 60 Hz (Itsm):1500 A a 60 HzCorrente – Mantenimento (Ih) (Max):-Montaggio Tipo: Montaggio su telaio Confezione/custodia: Modulo n.M5010035V Crydom Co. M5010035V Nuovo raddrizzatore controllato al silicio, 100000mA I(T), 1200V V(RRM), 4 elementi, MODULO-8, immagini M5010035V, prezzo M5010035V, fornitore #M5010035V
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Email: sales@shunlongwei.com
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Numero di parte del produttore: M5010035V
Rohs Codice: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: trasferito
Produttore IHS: CRYDOM INC
Codice confezione parte: MODULO
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
Numero pin: 8
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.30.00.80
Produttore: Crydom Inc
Grado di rischio: 3.62
Funzionalità aggiuntiva: UL RECOGNIZED
Collegamento case: ISOLATO
Configurazione: PONTE
Tasso critico di ascesa di off-state voltaggio-Min: 500 V / us
Corrente di trigger del gate CC-Max: 150 mA
Trigger del cancello DC voltaggio-Max: 3 V
Desc. di connessioni rapide: 4G
Desc. di terminali a vite: 2AK-CA-CK
Codice JESD-30: R-XUFM-X8
Codice JESD-609: e3
Pk On-state Cur non ripetitivo: 1500 A.
Numero di elementi: 4
Numero di terminali: 8
Corrente massima in stato on: 100000 A.
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Stato della qualifica: non qualificato
Tensione inversa di picco ripetitiva: 1200 V.
Sottocategoria: Silicio controllato Raddrizzatori
Montaggio superficiale: NO
Finitura terminale: Stagno (Sn)
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Ora
Raddrizzatore controllato al silicio, 100000mA I(T), 1200V V(RRM), 4 elementi, MODULO-8
Rohs Codice: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: trasferito
Produttore IHS: CRYDOM INC
Codice confezione parte: MODULO
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
Numero pin: 8
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.30.00.80
Produttore: Crydom Inc
Grado di rischio: 3.62
Funzionalità aggiuntiva: UL RECOGNIZED
Collegamento case: ISOLATO
Configurazione: PONTE
Tasso critico di ascesa di off-state voltaggio-Min: 500 V / us
Corrente di trigger del gate CC-Max: 150 mA
Trigger del cancello DC voltaggio-Max: 3 V
Desc. di connessioni rapide: 4G
Desc. di terminali a vite: 2AK-CA-CK
Codice JESD-30: R-XUFM-X8
Codice JESD-609: e3
Pk On-state Cur non ripetitivo: 1500 A.
Numero di elementi: 4
Numero di terminali: 8
Corrente massima in stato on: 100000 A.
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Stato della qualifica: non qualificato
Tensione inversa di picco ripetitiva: 1200 V.
Sottocategoria: Silicio controllato Raddrizzatori
Montaggio superficiale: NO
Finitura terminale: Stagno (Sn)
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Ora
Raddrizzatore controllato al silicio, 100000mA I(T), 1200V V(RRM), 4 elementi, MODULO-8