Nexperia ha rilasciato i suoi primi 80V e 100V specifici per l'applicazione mosfet (ASFET) per hotswap con area operativa sicura migliorata in un contenitore LFPAK8 compatto da 8 mm x 88 mm. Questi nuovi ASFET sono completamente ottimizzati per applicazioni hotswap e soft-start impegnative e sono qualificati a 175°C per l'uso in apparecchiature di telecomunicazione e informatiche avanzate.
Utilizzando la sua esperienza decennale nello sviluppo avanzato di silicio e package, PSMN2R3-100SSE (ASFET a canale N da 100 V, 2.3 mOhm) dell'azienda è l'aggiunta principale al portafoglio, fornendo un basso RDS (on) e un'elevata modalità lineare (funzionamento sicuro area) in un ingombro compatto di 8 mm x 8 mm, su misura per soddisfare le necessità delle esigenti applicazioni hotswap. L'azienda ha anche rilasciato PSMN1R9-100SSE (80 V, 1.9 mOhm), un ASFET da 80 V che risponde alla crescente tendenza all'impiego di linee di alimentazione a 48 V nei server di elaborazione e in altre applicazioni industriali in cui le condizioni ambientali prevedono MOSFET con rating BVDS inferiore.
Gli ASFET con SOA avanzata stanno diventando sempre più popolari nelle applicazioni hotswap e soft start. Le loro elevate prestazioni in modalità lineare sono fondamentali per gestire la corrente di spunto in modo efficace e affidabile quando i carichi capacitivi vengono introdotti nel backplane attivo. Un RDS basso (on) è fondamentale anche per ridurre al minimo le perdite I2R quando l'ASFET è completamente acceso. Nonostante l'RDS(on) inferiore e le dimensioni compatte del package, questa terza generazione di SOA potenziata la tecnologia raggiunge anche un miglioramento SOA del 10% rispetto alle generazioni precedenti dei contenitori D2PAK (33 A contro 30 A a 50 V a 1 ms).
Un'altra innovazione dell'azienda è che i nuovi ASFET per hotswap hanno caratterizzato completamente SOA sia a 25°C che a 125°C. Nelle schede tecniche vengono fornite curve SOA a caldo completamente testate, eliminando la necessità per i progettisti di eseguire calcoli di declassamento termico ed estendendo le utili prestazioni SOA a caldo.
Fino ad ora, gli ASFET per hotswap e applicazioni informatiche erano limitati a pacchetti D2PAK molto più grandi (16 mm x 10 mm). I pacchetti LFPAK88 sono un eccellente sostituto per D2PAK, offrendo fino al 60% di efficienza in termini di spazio. Il dispositivo ha un RDS(on) di soli 2.3 mOhm, che rappresenta almeno una riduzione del 40% rispetto ai dispositivi attualmente disponibili. Ciò si traduce non solo in miglioramenti della densità di potenza leader del settore di 58 volte, LFPAK88 fornisce anche una corrente nominale ID (max) due volte superiore, una resistenza termica ed elettrica estremamente bassa. Questa versione combina le migliori caratteristiche delle avanzate tecnologie di packaging con clip in silicio e rame dell'azienda, incorporando un ingombro ridotto, un RDS(on) inferiore e prestazioni SOA migliorate. Fornisce inoltre una gamma di ASFET da 25 V, 30 V, 80 V e 100 V in un contenitore LFPAK5E da 6 mm x 56 mm, ottimizzato per applicazioni a bassa potenza in cui è necessario un ingombro ridotto del PCB.