GeneSiC Semiconductor MBRT12080R in magazzino

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Codice produttore: MBRT12080R
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Produttore Ihs: GENESIC Semiconduttore INC
Descrizione del pacchetto: R-PUFM-X3
Produttore: GeneSic Semiconduttore Inc
Grado di rischio: 5.54
Applicazione: POWER
Collegamento case: ISOLATO
Configurazione: ANODO COMUNE, 2 ELEMENTI
Materiale dell'elemento diodo: SILICONE
Tipo di diodo: DIODO RADDRIZZATORE
Avanti voltaggio-Max (VF): 0.84 V.
Codice JESD-30: R-PUFM-X3
Corrente diretta non rep: max 800 A.
Numero di elementi: 2
Numero di fasi: 1
Numero di terminali: 3
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -55 ° C
Corrente di uscita massima: 60 A.
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Rip Pk Reverse voltaggio-Max: 80 V
Corrente inversa-Max: 1000 µA
Montaggio superficiale: NO
Tecnologia: SCOTTKY
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Raddrizzatore Schottky al silicio 80V 120A in pacchetto a tre torri