Infineon amplia il portafoglio EiceDRIVER

Infineon Technologies ha ampliato il proprio portafoglio EiceDRIVER con il nuovo half-bridge da 650 V e gate driver high e low side.

Questi dispositivi sono basati sul silicio su isolante (SOI) dell'azienda la tecnologia e fornire un transitorio VS negativo principale voltaggio immunità e integrazione monolitica di diodi bootstrap reali.

Secondo Infineon, queste nuove funzionalità hanno contribuito a ridurre la distinta base e hanno consentito progetti più robusti con mosfet ed IGBTÈ in un fattore di forma compatto.

La famiglia FLS (Fast Level Shift) è concepita per applicazioni ad alta frequenza come SMPS e UPS, nonché per azionamenti industriali e inverter integrati, elettrodomestici, utensili elettrici, controllo motore per ventilatori e pompe.

L'EiceDRIVER 2ED2110S06M è un driver ad alta corrente da 2.5 A, mentre l'EiceDRIVER 2ED2101 / 03/04 sono driver a bassa corrente da 0.7 A. I dispositivi a bassa corrente sono disponibili in DSO-8, mentre il driver da 2.5 A viene fornito in un pacchetto DSO-16W.

Con ritardi di propagazione di 90 ns e un abbinamento di ritardo massimo di 10 ns, supportano la commutazione ad alta frequenza nella gamma di 500 kHz nonché le applicazioni di controllo motore tradizionali. Il 2ED2110S06M supporta la funzionalità di spegnimento, logica separata e massa di alimentazione. Il diodo bootstrap integrato offre un ripristino inverso ultra rapido con una resistenza tipica di 30 Ω.

L'immunità alla tensione transitoria VS negativa di -100 V con impulsi ripetuti di 300 ns di larghezza supporta una maggiore robustezza e un funzionamento affidabile. Il tempo morto integrato con logica di conduzione incrociata e blocco di sottotensione indipendente (UVLO) per alimentazioni di alta e bassa tensione garantiscono un funzionamento sicuro.

Sia EiceDRIVER 2ED2110S06M che 2ED2101 / 03/04 S06F possono sostituire facilmente i dispositivi IR (S) 2110 / 2113S e IR (S) 2101/03 / 04S della generazione precedente.