Schede tecniche:PEMH9,PIMH9,PUMH9Foto prodotto:SOT-363 PKGConfezione standard:10,000Categoria:Discreto Semiconduttore Famiglia di prodotti:Transistor (BJT) – Array, Pre-BiasedSerie:-Packaging:Tape & Reel (TR)Tipo di transistor:2 NPN – Pre-Biased (Dual)Current – Collector (IC) (max): 100 mA Tensione – Guasto collettore emettitore (max): 50 V Resistenza – Base (R1) (Ohm): 10 k Resistenza – Base emettitore (R2) (Ohm): 47 k DC Guadagno di corrente (hFE) (Min) @ IC, Vce:100 a 5 mA, 5 V Saturazione Vce (max) a Ib, Ic: 100 mV a 250 µA, 5 mA Corrente – Cutoff collettore (max): 1 µAFrequenza – Transizione:-Potenza – Max: 300 mWMipo di montaggio: Montaggio su superficie Confezione/custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363Pacchetto dispositivo fornitore:6-TSSOPOtri nomi:934055557165PUMH9 /T2PUMH9 /T2-ND #PUMH9,165 NXP Semiconductors PUMH9,165 Nuove immagini TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP, PUMH9,165, prezzo PUMH9,165, fornitore #PUMH9,165
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TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP