Schede tecniche:T607__18Pacchetto standard:5Categoria:Discreto Semiconduttore Famiglia di prodotti:SCR – SingolaSerie:-Confezione:BulkVoltage – Off:400VVoltage – Gate Trigger (Vgt) (Max):3VCorrent – Gate Trigger (Igt) (Max):150mAVoltage – On State (Vtm) (Max):1.85VCorrente – Stato On (It (AV)) (Max):175ACCurrent – On State (It (RMS)) (Max):275ACCurrent – Hold (Ih) (Max):-Current – Off State (Max):25mACCurrent – Non rep. Surge 50, 60Hz (Itsm):4500A @ 60HzTipo SCR:Recupero standardTemperatura di esercizio:-40 °C ~ 125 °C Tipo di montaggio: montaggio a perno Confezione/custodia: TO-209AB, TO-93-4, pacchetto dispositivo StudSupplier: TO-93 #T607041874BT Powerex Inc T607041874BT Nuovo raddrizzatore controllato al silicio, 275A I(T)RMS, 275000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 elemento, TO-93, TO-93, 3 PIN, T607041874BT immagini, Prezzo T607041874BT, fornitore #T607041874BT
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice produttore: T607041874BT
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Produttore IHS: POWEREX INC
Codice pacchetto parte: TO-93
Descrizione della confezione: TO-93, 3 PIN
Numero pin: 3
Codice HTS: 8541.30.00.80
Produttore: Powerex Semiconduttori di potenza
Grado di rischio: 5.74
Configurazione: SINGOLA
Tasso critico di ascesa di off-state voltaggio-Min: 300 V / us
Corrente di trigger del gate CC-Max: 150 mA
Tensione di attivazione del gate DC: max: 3 V.
Massima corrente di mantenimento: 150 mA
Codice JEDEC-95: TO-93
Codice JESD-30: O-MUPM-H3
Corrente di dispersione massima: 25 mA
Pk On-state Cur non ripetitivo: 4500 A.
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Corrente massima in stato on: 275000 A.
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Materiale corpo confezione: METALLO
Forma del pacchetto: TONDO
Stile del pacchetto: MONTAGGIO POST/STUD
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Stato della qualifica: non qualificato
Corrente di stato On RMS-Max: 275 A.
Tensione di picco ripetitiva fuori stato: 400 V.
Tensione inversa di picco ripetitiva: 400 V.
Sottocategoria: Silicio controllato Raddrizzatori
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: CAVO AD ALTA CORRENTE
Posizione terminale: SUPERIORE
Ora
Raddrizzatore controllato al silicio, 275A I(T)RMS, 275000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 elemento, TO-93, TO-93, 3 PIN
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Produttore IHS: POWEREX INC
Codice pacchetto parte: TO-93
Descrizione della confezione: TO-93, 3 PIN
Numero pin: 3
Codice HTS: 8541.30.00.80
Produttore: Powerex Semiconduttori di potenza
Grado di rischio: 5.74
Configurazione: SINGOLA
Tasso critico di ascesa di off-state voltaggio-Min: 300 V / us
Corrente di trigger del gate CC-Max: 150 mA
Tensione di attivazione del gate DC: max: 3 V.
Massima corrente di mantenimento: 150 mA
Codice JEDEC-95: TO-93
Codice JESD-30: O-MUPM-H3
Corrente di dispersione massima: 25 mA
Pk On-state Cur non ripetitivo: 4500 A.
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Corrente massima in stato on: 275000 A.
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Materiale corpo confezione: METALLO
Forma del pacchetto: TONDO
Stile del pacchetto: MONTAGGIO POST/STUD
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Stato della qualifica: non qualificato
Corrente di stato On RMS-Max: 275 A.
Tensione di picco ripetitiva fuori stato: 400 V.
Tensione inversa di picco ripetitiva: 400 V.
Sottocategoria: Silicio controllato Raddrizzatori
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: CAVO AD ALTA CORRENTE
Posizione terminale: SUPERIORE
Ora
Raddrizzatore controllato al silicio, 275A I(T)RMS, 275000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 elemento, TO-93, TO-93, 3 PIN