Schede tecniche:T627xx15Pacchetto standard:5Categoria:Discreto Semiconduttore Famiglia di prodotti:SCR – SingleSeries:-Packaging:BulkVoltage – Off:1200VVoltage – Gate Trigger (Vgt) (Max):3VCorrent – Gate Trigger (Igt) (Max):150mAVoltage – On State (Vtm) (Max):2.35VCorrent – Stato On (It (AV)) (Max):150ACCurrent – On State (It (RMS)) (Max):235ACCurrent – Hold (Ih) (Max):-Current – Off State (Max):25mACCurrent – Non rep. Surge 50, 60Hz (Itsm):3500A @ 60HzTipo SCR:Recupero standardTemperatura di esercizio:-40 °C ~ 125 °C Tipo di montaggio: montaggio a perno Confezione/custodia: DO-200AA, A-PUKS Pacchetto dispositivo fornitore: T62 #T627121584DN Powerex Inc T627121584DN Nuovo raddrizzatore controllato al silicio, 235A I(T)RMS, 235000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 elemento, CASE T62, 3 PIN, T627121584DN immagini, T627121584DN prezzo, #T627121584DN fornitore
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice produttore: T627121584DN
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Produttore IHS: POWEREX INC
Descrizione della confezione: CASE T62, 3 PIN
Numero pin: 3
Codice confezione produttore: CASE T62
Codice HTS: 8541.30.00.80
Produttore: Powerex Power Semiconductors
Grado di rischio: 5.74
Configurazione: SINGOLA
Tasso critico di ascesa di off-state voltaggio-Min: 300 V / us
Corrente di trigger del gate CC-Max: 150 mA
Trigger del cancello DC voltaggio-Max: 3 V
Codice JESD-30: O-XXDB-X3
Corrente di dispersione massima: 25 mA
Pk On-state Cur non ripetitivo: 3500 A.
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Corrente massima in stato on: 235000 A.
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: TONDO
Stile confezione: TASTO DISCO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Stato della qualifica: non qualificato
Corrente di stato On RMS-Max: 235 A.
Picco ripetitivo fuori stato voltaggio: 1200 V
Tensione inversa di picco ripetitiva: 1200 V.
Sottocategoria: Raddrizzatori controllati al silicio
Montaggio superficiale: SI
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: non specificato
Ora
Raddrizzatore controllato al silicio, 235A I(T)RMS, 235000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 elemento, CASE T62, 3 PIN
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Produttore IHS: POWEREX INC
Descrizione della confezione: CASE T62, 3 PIN
Numero pin: 3
Codice confezione produttore: CASE T62
Codice HTS: 8541.30.00.80
Produttore: Powerex Power Semiconductors
Grado di rischio: 5.74
Configurazione: SINGOLA
Tasso critico di ascesa di off-state voltaggio-Min: 300 V / us
Corrente di trigger del gate CC-Max: 150 mA
Trigger del cancello DC voltaggio-Max: 3 V
Codice JESD-30: O-XXDB-X3
Corrente di dispersione massima: 25 mA
Pk On-state Cur non ripetitivo: 3500 A.
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Corrente massima in stato on: 235000 A.
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: TONDO
Stile confezione: TASTO DISCO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Stato della qualifica: non qualificato
Corrente di stato On RMS-Max: 235 A.
Picco ripetitivo fuori stato voltaggio: 1200 V
Tensione inversa di picco ripetitiva: 1200 V.
Sottocategoria: Raddrizzatori controllati al silicio
Montaggio superficiale: SI
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: non specificato
Ora
Raddrizzatore controllato al silicio, 235A I(T)RMS, 235000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 elemento, CASE T62, 3 PIN