Vishay Semiconductor Diodes Division ST083S12PFK0 Disponibile

Schede dati:Serie ST083S Foto prodotto:TO-209AC TO-94 PKGConfezione standard:25Categoria:Discreto Semiconduttore Famiglia di prodotti:SCR – SingleSeries:-Packaging:BulkVoltage – Off:1200VVoltage – Gate Trigger (Vgt) (Max):3VCorrent – ​​Gate Trigger (Igt) (Max):200mAVoltage – On State (Vtm) (Max):2.15VCorrent – Stato On (It (AV)) (Max):85ACCurrent – ​​On State (It (RMS)) (Max):135ACCurrent – ​​Hold (Ih) (Max):600mACcurrent – ​​Off State (Max)::30mACcurrent – ​​Non rep. Surge 50, 60Hz (Itsm):2450A, 2560ASCR Tipo:Ripristino standardTemperatura di esercizio:-40 °C ~ 125 °C Tipo di montaggio: Chassis, montaggio con perno Confezione/custodia: TO-209AC, TO-94-4, Pacchetto dispositivo StudSupplier: TO-209AC (TO-94)Altri nomi:*ST083S12PFK0VS-ST083S12PFK0VS-ST083S12PFK0-NDVSST083S12PFK0VSST083S12PFK0-ND #ST083S12PFK0 Vishay Semiconduttore Divisione Diodi ST083S12PFK0 Nuovo raddrizzatore controllato al silicio, immagini ST083S12PFK0, prezzo ST083S12PFK0, fornitore #ST083S12PFK0
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Email: [email protected]

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Numero di parte del produttore: VS-ST083S12PFK0
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Ihs Produttore: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Vishay Intertechnologies
Grado di rischio: 5.61
Tipo di dispositivo trigger: SCR
Raddrizzatore controllato al silicio,