Vishay Semiconductor Diodes Division VS-2N5206 Disponibile

#VS-2N5206 Vishay Semiconduttore Divisione Diodi VS-2N5206 Nuovo raddrizzatore controllato al silicio VS-2N5206, 35 A I(T)RMS, 1000 V V(DRM), 1000 V V(RRM), 1 elemento, TO-208AA, TO-48, 2 PIN; VS-2N5206, immagini VS-2N5206, prezzo VS-2N5206, fornitore #VS-2N5206
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E-mail: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/vs-2n5206.html

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Codice produttore: VS-2N5206
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: attivo
Ihs Produttore: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Codice pacchetto parte: TO-48
Descrizione della confezione: TO-48, 2 PIN
Numero pin: 2
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Vishay Intertechnologies
Grado di rischio: 2.23
Caratteristica aggiuntiva: ALTA AFFIDABILITÀ
Configurazione: SINGOLA
Corrente di trigger del gate CC-Max: 40 mA
Codice JEDEC-95: TO-208AA
JESD-30 Codice: O-MUPM-D2
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 2
Temperatura di esercizio-Max: 125 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Materiale corpo confezione: METALLO
Forma del pacchetto: TONDO
Stile del pacchetto: MONTAGGIO POST/STUD
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Corrente di stato On RMS-Max: 35 A.
Picco ripetitivo fuori stato voltaggio: 1000 V
Picco inverso ripetitivo voltaggio: 1000 V
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: SOLDER LUG
Posizione terminale: SUPERIORE
Ora
Raddrizzatore controllato al silicio, 35A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 elemento, TO-208AA, TO-48, 2 PIN