Schede tecniche:Serie VSKz(250, 270, 320)Foto di prodotti:3-MAGN-A-PAKPacchetto standard:2Categoria:Discreti Semiconduttore Famiglia di prodotti: Diodi, raddrizzatori – Moduli Serie:-Confezione: Tensione sfusa – Diretta (Vf) (Max) @ Se:-Corrente – Dispersione inversa @ Vr: 50 mA a 1200 V Corrente – Media rettificata (Io) (per diodo): 250 A Tensione – CC inversa ( Vr) (Max):1200 V (1.2 kV)Tempo di recupero inverso (trr):-Tipo diodo:StandardVelocità:Recupero standard >500ns, > 200mA (Io)Configurazione diodo:Connessione in serie a 1 coppiaTipo di montaggio:Montaggio su telaioPacchetto/custodia:3- Pacchetto dispositivo fornitore MAGN-A-PAK™:MAGN-A-PAK®Altri nomi:*IRKD250-12IRKD250-12IRKD250-12-ND #VSKD250-12 Vishay Semiconduttore Diodes Division VSKD250-12 Nuovo diodo raddrizzatore, 1 fase, 2 elementi, 250A, 1200V V(RRM), silicio, CONFORME ROHS, MAGN-A-PAK-3, immagini VSKD250-12, prezzo VSKD250-12, #VSKD250-12 fornitore
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Email: sales@shunlongwei.com
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Codice produttore: VSKD250-12
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: VISHAY SEMICONDUCTORS
Descrizione del pacchetto: R-XUFM-X3
Numero pin: 3
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.10.00.80
Produttore: Vishay Semiconduttori
Grado di rischio: 5.84
Caratteristica aggiuntiva: DIODO A RUOTA LIBERA, RICONOSCIMENTO UL
Applicazione: ALTA voltaggio POTENZA
Collegamento case: ISOLATO
Configurazione: SERIE CONNECTED, RUBINETTO CENTRALE, 2 ELEMENTI
Diodo Materiale dell'elemento: SILICONE
Tipo di diodo: DIODO RADDRIZZATORE
Codice JESD-30: R-XUFM-X3
Corrente diretta non rep: max 7345 A.
Numero di elementi: 2
Numero di fasi: 1
Numero di terminali: 3
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Corrente di uscita massima: 250 A.
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Stato della qualifica: non qualificato
Rip Pk Reverse voltaggio-Max: 1200 V
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Diodo raddrizzatore, 1 fase, 2 elemento, 250 A, 1200 V V (RRM), silicio, CONFORME ROHS, MAGN-A-PAK-3
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: VISHAY SEMICONDUCTORS
Descrizione del pacchetto: R-XUFM-X3
Numero pin: 3
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8541.10.00.80
Produttore: Vishay Semiconduttori
Grado di rischio: 5.84
Caratteristica aggiuntiva: DIODO A RUOTA LIBERA, RICONOSCIMENTO UL
Applicazione: ALTA voltaggio POTENZA
Collegamento case: ISOLATO
Configurazione: SERIE CONNECTED, RUBINETTO CENTRALE, 2 ELEMENTI
Diodo Materiale dell'elemento: SILICONE
Tipo di diodo: DIODO RADDRIZZATORE
Codice JESD-30: R-XUFM-X3
Corrente diretta non rep: max 7345 A.
Numero di elementi: 2
Numero di fasi: 1
Numero di terminali: 3
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Temperatura di esercizio-Min: -40 ° C
Corrente di uscita massima: 250 A.
Materiale del corpo del pacchetto: non specificato
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Stato della qualifica: non qualificato
Rip Pk Reverse voltaggio-Max: 1200 V
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: non specificato
Posizione terminale: SUPERIORE
Diodo raddrizzatore, 1 fase, 2 elemento, 250 A, 1200 V V (RRM), silicio, CONFORME ROHS, MAGN-A-PAK-3