Murata הגדילה את מוצריה לשווקי המחשוב הניידים והעיליים עם תהליך הסיליקון האחרון שלה טֶכנוֹלוֹגִיָה לייצר קבלי סיליקון בצפיפות של 1.3 µF/mm². ה-ESL הנמוך להפליא (pH מעט) וה-ESR הנמוך (כמה mOhm) של התקנים אלה מחזקים את הביצועים הגבוהים ביותר של רשתות חלוקת חשמל חדשות (PDN) הדורשות עכבה נמוכה על רוחב פס רחב של תדרים.
כאשר מכשירי IC דיגיטליים מתפתחים לספק תכונות נוספות במתחים נמוכים יותר, פותרים בעיות כמו רעש ו מתח תנודה היא קריטית. פרופיל <40 מיקרומטר שלו מאפשר למהנדסי מעצבי שבבים להטביע את הסיליקון קבל לתוך החבילה קרוב ככל האפשר לקובייה הפעילה, תוך צמצום אורך הנתיב האפקטיבי של הזרם, ובכך, הפחתת הטפילים.
התקנים רב-מסופיים אלה מספקים דרישות עיצוב שונות של SoC ומעבד עבור מספר רב של רשתות קבלים מסופיות. החלפת קבלים קרמיים מונוליטיים מסורתיים בהתקני סיליקון רב טרמינלים מקטינה את כל כמות הקבלים הדרושים על הלוח באופן דרמטי, מה שמגדיל את הקומפקטיות של העיצוב הסופי. פחות קבלים מציעים גם חיסכון כולל הן ב- BOM והן בעלויות הרכבה.