STMicroelectronics הרחיבה את משפחת מכשירי ה- MasterGaN gallium-nitride (GaN) שלה עם חבילות החשמל המשולבות MasterGaN3 ו- MasterGaN5 ליישומים עד 45 W ו- 150 W, בהתאמה. מנהלי ההתקן MasterGaN3 ו- MasterGaN5 600-V עם שני גשרים עם שני שיפורים מסוג GaN HEMT מצטרפים לסדרות MasterGaN1, MasterGaN2 ו- MasterGaN4 הקיימות, הממוקדות ליישומים בין 65 W ל 400 W.
בנוסף, בשילוב עם תדרי המיתוג הגבוהים יותר האפשריים עם טרנזיסטורים של GaN, התקנים משולבים אלה מאפשרים ספקי כוח שהם עד 80% קטנים יותר מאשר עיצובים מבוססי סיליקון, אמרה החברה.
הטרנזיסטורים של GaN המשמשים במכשירי MasterGaN3 כוללים התנגדות אסימטרית (Rds (on)) של 225 mΩ ו- 450 mΩ, מה שהופך מכשירים אלה למתאימי החלפה רכה ותיקון פעיל. ב- MasterGaN5 יש לשני הטרנזיסטורים 450 mΩ Rds (מופעלים) לשימוש בטופולוגיות כגון מהדהד ופעולה מהדק של LLC.
דיאגרמת בלוקים של MasterGaN5. (מקור: STMicroelectronics)
כמו סדרות MasterGaN אחרות, התקנים אלה מציעים כניסות התואמות לאותות לוגיים מ-3.3 וולט עד 15 וולט, מה שמפשט חיבור של DSP מארח, FPGA או מיקרו-בקר, והתקנים חיצוניים כגון חיישני Hall. הם גם משלבים הגנה כולל נעילת תת-מתח בצד נמוך וגבוה (UVLO), נעילת נהגי שער, הגנה מפני טמפרטורת יתר ופין כיבוי. (סדרת MasterGaN הייתה סגנית אלופת ב אֶלֶקטרוֹנִי פרסי מוצר השנה של מוצרים לשנת 2020.)
כל מכשיר MasterGaN מציע לוח אב טיפוס ייעודי שיעזור למעצבים להתחיל בפרויקטים חדשים של אספקת חשמל. לוחות EVALMASTERGAN3 ו- EVALMASTERGAN5 מכילים מעגלים ליצירת אותות נהיגה חד-פעמיים או משלימים. תכונות אחרות כוללות מחולל מתים מתכוונן וכן חיבורים להחלת אות קלט נפרד או אות PWM, הוספת דיודה חיצונית של רצועות אתחול כדי לסייע בעומסים קיבוליים, וכוללת שאנט בצד נמוך. נַגָד לטופולוגיות במצב שיא הנוכחי.
מכשירי MasterGaN9 ו- MasterGaN9, השוכנים בחבילה מסוג GQFN בגודל 2 × 3 מ"מ, המותאמים ליישומי מתח גבוה עם מרחק זחילה של 5 מ"מ בין רפידות מתח גבוה למתח נמוך. להזמנות של 6.08 יחידות.
אודות STMicroelectronics