4年2023月XNUMX日 /セミメディア/ — Diodes Incorporated は最近、新しい双方向トランジェントを発表しました。 電圧 高速データポートの堅牢な保護に対する市場のニーズに対応するサプレッサ (TVS) ダイオード。
D3V3Z1BD2CSP は、静電放電 (ESD) ストライクとサージ イベントの両方から保護するように設計されています。 このデバイスの主な用途は、高性能コンピューティング ハードウェア、スマートフォン ハンドセット、ラップトップおよびタブレット コンピュータ、ディスプレイ、およびゲーム コンソールの I/O ポートです。
多くの競合製品は、強力なサージ保護特性を持つか、入力容量が小さいかという設計上のトレードオフを行わなければなりませんが、D3V3Z1BD2CSP は両方の利点を同時に提供できます。 0.3pF (標準値) の超低静電容量により、高速データ通信に干渉したり妨害したりせず、シグナル インテグリティが維持されます。 高いピーク パルス電流 (標準 10.5A) と低いクランプ電圧 (5.3V) により、I/O ポートとその敏感な電子機器を過渡電圧から保護します。 したがって、頻繁なホットスワップなどの活動による電気的過負荷による損傷のリスクが回避されます。 D61000V4Z2BD3CSP は、IEC3-1-2 イミュニティ規格に準拠しており、±20kV の気中および接触放電に対する堅牢な ESD 保護を提供し、それによってシステムの信頼性を向上させます。
D3V3Z1BD2CSP は、USB Type-C®、DisplayPort™、HDMI™、SD カードなどの I/O インターフェイスを保護するために使用でき、最大 20Gbps の高速データ レートを伝送します。 -55˚C から +150˚C までの広い動作温度範囲により、厳しいアプリケーション環境でも継続的な保護が保証されます。
DiodesのD3V3Z1BD2CSP TVSは、わずか0603mm x 0.6mm x 0.3mmの非常にコンパクトなDSN0.3ウェーハレベルのチップスケールパッケージで提供されます。 0.049 個の数量でそれぞれ $10,000 で入手できます。
詳細については、をご覧ください。 https://www.diodes.com/part/D3V3Z1BD2CSP/.