Type-C電力供給に理想的なダイオード保護スイッチ

AOZ13984DI-02とAOZ13987DI-02の3つがあり、どちらも3 x XNUMXmmの熱強化DFNパッケージで、USBコネクタを介して充電されるデバイスで使用するように設計されており、Vbusピンを介してデバイスから電流が逆流するのを防ぎます。 。

中にはコントロールがあります IC 背中合わせに同梱 MOSFET、および障害状態での逆電流は、最大22Vで動作しているときにブロックできます。

違いは次のとおりです。

• AOZ13984DI-02：33mΩの標準オン抵抗、5.5Aの連続シンク、15Aのピーク（10ms 2％デューティ）
• AOZ13987DI-02：20mΩの標準オン抵抗、8Aの連続シンク、20Aのピーク（10ms 2％デューティ）

どちらの場合も、通常の動作は3.4〜22V（最大28V abs）および-40〜 + 125°Cの接合部です（熱抵抗は2.8°C /Wθjcおよび36°C /Wθjaです）。

20mΩAOZ13987の場合、ICを有効にすると、無負荷から中負荷、MOSFETが35mΩに飽和するまで、VoutがVinより20mV低くなるように調整されます。 この後、MOSFETの両端の電圧は負荷電流によって決定されます。 33mΩAOZ13984は代わりに70mVで動作します。

何らかの理由でVoutが増加してVin– Voutが35mV未満になる場合、電流がICに強制的に戻されようとしており、ゲートドライバがスイッチを強制的にオフにすると想定されます。

遅延時間後にVout– Vinが50mVを超えると、高速コンパレータも電源スイッチをオフにします。 また、データシートによると、最初に有効にしたとき、または自動再起動中に、VoutがVinより50mV高い場合、電源スイッチはオフのままになります。

ダイが140°Cに達するとスイッチもオフになります。その後、イネーブルピンを切り替えるか、入力電源を循環させることによってのみ、スイッチを再度有効にすることができます。

ソフトオンが実装されているため、デバイスがそのイネーブル ピンを通じて有効になると、 モスフェット ゲートは、Vout が外部によって設定されたレートで Vin に達するまで、出力を直線的に上昇させるように制御されます。 コンデンサ.