インフィニオン、600V GaNトランジスタを自社で製造

更新日: 12 年 2023 月 XNUMX 日
インフィニオン、600V GaNトランジスタを自社で製造

「ディスクリートおよび統合パワー段デバイスのポートフォリオは、JEDEC 規格 JESD47 および JESD22 に準拠する産業用アプリケーションの特定のニーズを満たすために必要な柔軟性を設計者に提供します。」

DSO-20-85、DSO-20-87、HSOF-8-3、LSON-81、および TSON-8 パッケージで入手可能で、Rds(on) 値は最大 42 ~ 340mΩ の範囲です。

ハーフブリッジでは、Rds(on) = 28 – 190mΩ max (x650) の TIQFN-2 パッケージに XNUMX つの GaN スイッチが収容されています。

熱的に強化された TIQFN-21 スパン 130 ~ 340mΩ のシングルチャンネル タイプ。

上面冷却および下面冷却の両方の JEDEC 準拠パッケージが利用可能です (たとえば、それぞれ DSO-20-87 および DSO-20-85)。

「TSC パワー パッケージは市場でユニークであり、より高い電力要件に対応します。ただし、前述のパッケージの IGO60R042D1 (T = 上部冷却) と IGO60R042D1 (下部冷却) のデータシートはまったく同じ 250W 定格 (25 °C) および 0.5°C/W ジャンクション-ケース間抵抗。 Electronics Weekly は、ここで何が起こっているのかをインフィニオンに尋ねました。

アプリケーションは、サーバー、テレコム、ソーラー PSU、消費者向け充電器とアダプター、モーター ドライブ、TV、モニター、LED 照明などで予測されています。

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