物理学教授のマヌス・ヘイン (写真) によって発明された ULTRARAM は、フラッシュのようなデータ ストレージ メモリの不揮発性と、速度、エネルギー効率、および 
これを行うために、化合物半導体の量子共鳴トンネリングを利用します。これは、LEDS、レーザーダイオード、赤外線検出器などのフォトニックデバイスで一般的に使用される材料ですが、シリコンの保護であるデジタルエレクトロニクスでは使用されません。
Advanced誌に掲載された研究論文 エレクトロニック マテリアルは次のように報告しています。「ULTRARAM は、InAs 量子井戸 (QW) と AlSb 障壁を利用して三重障壁共鳴トンネル (TBRT) 構造を作成することで、このパラダイムを打ち破りました。
フローティング ゲート (FG) とチャネルを形成する InAs に対する AlSb の 2.1 eV 伝導帯オフセットは、フラッシュで使用される SiO2 誘電体に匹敵する電子の通過に対する障壁を提供します。 ただし、TBRT 構造内に 2.5 つの InAs 量子井戸 (厚さの異なる) を含めることで、低電圧 (≒XNUMX V) が印加されたときに電子に対して透明になることができます。
最初に米国で特許を取得し、さらに特許を取得しました。 テクノロジー 現在、世界中の主要なテクノロジー市場で開発が進められています。
ULTRARAM は、研究者が英国の研究の商業的応用と可能性を探求するのを支援するために設計された権威ある Innovate UK ICURe プログラムの一環として、ICURe Explore 賞の成功に続いて商品化される予定です。
ULTRARAM チームは、グラスゴーで開催されたイベントで ICURe エクスプロイト賞を受賞しました。これは、大学から提案され、ICURe プログラムに受け入れられ、「オプション ラウンドアバウト」の結果として選択されるまで、さまざまな選考ラウンドの集大成でした。
同大学の商品化インパクト マネージャーであるジェス ウェンマス氏は、次のように述べています。
ICURe の専門家イノベーション パネルによるこの承認に続いて、この提案はランカスター大学からの正式なスピンアウト企業になるように発展し、潜在的な投資家との議論がすでに行われています。
パネルは、プロジェクトの主要な強みには、市場を変える可能性のある技術と巨大な市場の可能性を伴う明確なグローバルな機会が含まれていると感じました.
この賞はまた、成功した ICURe の「卒業生」のみが利用できる 300 万ポンドの Innovate UK 資金調達へのスピンアウトへの扉を開きます。