報道によると、メモリチップメーカーのNanya テクノロジー は、第10世代1nmプロセステクノロジー(5A)の試作ラインの設置が完了し、従来製品と次世代DDR10の両方が試作中であると発表した。 また、第1世代XNUMXnm（XNUMXB）プロセス技術の第一号製品も近々試作を開始する予定だ。
レポートは、Nanyaが20nmの製品ポートフォリオを最適化し続けることを指摘しました。 サーバーおよびPCOEMの顧客の認定を増やすことに加えて、低電力製品のプロモーションも加速します。 その将来のターゲット市場には、ポータブル製品、自動車および産業用アプリケーションが含まれ、製品の価値と販売の柔軟性を効果的に高めることができます。
さらに、Nanyaは、市場の需要と同社の長期的な発展に対応するために構築された新しい12インチウェーハファブの状況についても言及しました。 新工場は年末に着工する予定で、2023年末までに設置を開始する予定です。市場の需要に応じて段階的に生産能力を増強します。