4 年 2023 月 1200 日 — Nexperia は最近、初の炭化ケイ素 (SiC) MOSFET を発表し、RDS(on) 値が 3 mΩ および 247 mΩ の 40 ピン TO-80 パッケージの 040120 つの 3 V ディスクリート デバイスをリリースしました。 NSF0L080120A3 および NSF0LXNUMXAXNUMX は、Nexperia の SiC を使用する一連の計画リリースの最初のものです。 MOSFET ポートフォリオは急速に拡大し、スルーホールおよび表面実装パッケージを選択して、さまざまな RDS(on) 値を持つデバイスを含めることができます。 このリリースは、電気自動車 (EV) の充電パイル、無停電電源装置 (UPS)、太陽光発電およびエネルギー貯蔵システム (ESS) 用のインバータなどの産業用途における高性能 SiC MOSFET の可用性の向上に対する市場の需要に対応します。
「Nexperia と三菱電機は、これらの最初の製品によって、よりワイドバンドギャップのデバイスサプライヤーを求める市場に真のイノベーションをもたらしたいと考えました。」と Nexperia のシニアディレクター兼製品グループ SiC 責任者の Katrin Feurle 氏は述べています。 「Nexperia は、高い RDS(on) 温度安定性、低いボディ ダイオード電圧降下、厳しいしきい値電圧仕様、非常にバランスのとれたゲート充電率など、いくつかのパラメータにわたってクラス最高の性能を提供する SiC MOSFET デバイスを提供できるようになりました。」デバイスを寄生ターンオンに対して安全にします。 これは、三菱電機との提携により最高品質の SiC MOSFET を製造するという当社の取り組みの始まりの章です。 私たちは今後数年間にわたって、間違いなく SiC デバイスの性能の限界を押し広げていくでしょう。」
「Nexperia とともに、パートナーシップの最初の製品としてこれらの新しい SiC MOSFET を導入できることを大変うれしく思います。」とパワーデバイスワークス部長の岩上徹氏は述べています。 半導体 三菱電機株式会社＆デバイスグループ「三菱電機はSiCパワー半導体に関する優れた専門知識を蓄積しており、当社のデバイスは独自の特性バランスを実現します。」
RDS(on) は、伝導電力損失に影響を与えるため、SiC MOSFET にとって重要な性能パラメータです。 Nexperia は、これが現在入手可能な多くの SiC デバイスの性能における制限要因であると特定し、その革新的なプロセスを使用しました。 テクノロジー 新しい SiC MOSFET が業界をリードする温度安定性を実現し、38 °C ～ 25 °C の動作温度範囲にわたって RDS(on) の公称値が 175% しか増加しないことを保証します。 現在市場で入手可能な他の多くの SiC デバイスとは異なります。
Nexperia の SiC MOSFET は、総ゲート電荷 (QG) が非常に低いため、ゲート駆動損失が低いという利点もあります。 さらに、Nexperia はゲート電荷のバランスをとったため、QGD と QGS の比が非常に低くなり、寄生ターンオンに対するデバイスの耐性が向上します。
SiC MOSFET の正の温度係数と併せて、Nexperia の SiC MOSFET は、デバイス間のしきい値電圧 VGS(th) の広がりが非常に低く、デバイスが静的および動的条件下で非常にバランスのとれた通電性能を実現します。並行して動作します。 さらに、ボディ ダイオード順電圧 (VSD) が低いことは、デバイスの堅牢性と効率を向上させるパラメータであり、同時に非同期整流とフリーホイール動作のデッドタイム要件も緩和します。
Nexperia は、将来の車載グレード MOSFET のリリースも計画しています。 NSF040120L3A0 および NSF080120L3A0 は現在量産可能です。 完全な SiC MOSFET 製品のサンプルについては、Nexperia の営業担当者にお問い合わせください。
Nexperia の MOSFET について詳しくは、https://www.nexperia.com/sic-mosfets をご覧ください。