Paragrafがグラフェンセンサーを発表

ケンブリッジのグラフェンコンポーネントのスペシャリストであるParagrafは、新しい センサー それが主張する範囲は、低温環境および強い磁場に置かれたときに比類のない感度と直線性を提供します。

ナイメーヘンラドバウド大学の強磁場実験所（HFML）でテストされた、GHS-Cセンサーは、最大30 Tの磁場および極低温（最低1.5 K）での動作をサポートします。 センサーは、これらの条件下ではこれまで達成できなかった精度を実現し、測定範囲全体で1％未満の非線形誤差を維持すると言われています。

GHS-Cデバイスの変換磁場測定機能は、グラフェンセンサー要素によるものです。 グラフェン固有の高い電子移動度は、高感度機能に直接変換され、磁場範囲全体にわたって維持されます。これにより、これらのデバイスのキャリブレーションがはるかに簡単になります。

グラフェンのXNUMX次元の性質は、高品質で再現性のある正確なデータがGHS-Cセンサーによって提供され、ヒステリシスがなく、面内の漂遊磁場に対する耐性がないことも意味します。 これは、非対称性を示した従来のホールセンサーを超えた一歩であり、フィールドの方向に応じて異なる測定値を生成します。

GHS-C範囲のさらなる利点は、電力損失が発生する非常に低い電力動作です。

適切なアプリケーションの例には、低温量子コンピューティング、次世代MRIシステムでの高磁場磁石監視、核融合エネルギー場制御、粒子加速器、およびその他の科学的および医療用機器が含まれます。 センサーは、量子物理学の研究、超伝導、スピントロニクスなどの基本的な物理実験にも直接使用できます。

「極低温下および非常に高い磁場下では、他のハイエンドホールセンサーの感度性能が急激に低下します。 これは、センサー要素の異なる層間で発生する相互作用によるものです。 直線性の問題が発生し、範囲が制限されるだけでなく、キャリブレーションが非常に困難になります。 その結果、これらのセンサーの達成可能な最高の精度は、約16Tを超えると大幅に制限されます」と述べています。 パラグラフのCEO、サイモン・トーマス。

彼は続けました。「2Dグラフェンセンサー要素に依存することで、この問題を完全に回避することができます。 これは、パフォーマンスと直線性に影響を与える相互作用がないこと、およびヒステリシスのない対称出力を導出できることを意味します。 HFMLのチームが、センサーの超高磁場機能を証明するのを手伝ってくれたことに感謝します。」