セミクロン SKM400GAR12T4D IGBT モジュール

  セミクロン SKM400GAR12T4D は、高出力絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) モジュール 高電圧および高電流処理能力を必要とする産業用途向けに設計されています。 モジュールの詳細は次のとおりです。

  • 機能: これはパワーエレクトロニクスのスイッチおよびアンプとして動作し、モータードライブ、再生可能エネルギーシステム、溶接装置、その他の高出力産業用途で一般的に使用されます。
  • 電圧と電流の定格: このモジュールの最大電圧定格は 1,200 ボルトで、最大 400 アンペアの連続電流を処理できます。
  • 構成: このモジュールは、XNUMX つの IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) と XNUMX つのフリーホイール ダイオードで構成されています。 ハーフブリッジ設定で構成されています。
  • 保護機能: SKM400GAR12T4D モジュールには、統合された温度および過電流保護が装備されており、さまざまな条件下での安全で信頼性の高い動作を保証します。
  • テクノロジー:
    • 高速トレンチおよびフィールドストップ IGBT テクノロジーを備えており、効率的なスイッチングと電力損失の低減を可能にします。
    • このモジュールには、パフォーマンスを向上させるための CAL4 超高速ソフト スイッチング生成 CAL ダイオードが含まれています。
  • ベースプレート技術: このモジュールは、DBC テクノロジー (ダイレクトボンド銅) を使用した絶縁銅ベースプレートを採用しており、効率的な熱放散を促進します。
  • スイッチング周波数: 15kHzを超える高いスイッチング周波数向けに設計されており、高速スイッチングが必要なアプリケーションに適しています。
  • アプリケーション: 一般的な用途には、電子溶接機、DC/DC コンバータ、スイッチトリラクタンス モーターなどが含まれます。
  • 最大定格と特性:
    • コレクタ・エミッタ間電圧 (Vces): 1200V
    • ゲート・エミッタ間電圧 (VGES): ±20V
    • コレクタ電流 (Ic): 400A (短時間の場合は 800A)
    • コレクタ・エミッタ間電圧 (VCES): 4000V (過渡電圧用)
    • 動作ジャンクション温度 (Tj): 最大 +150°C
    • 保管温度 (Tstg): -40°C ~ +125°C の範囲
  • 取り付けと重量: モジュールの取り付けはM5ネジを使用し、トルクは2.5~5N・mです。 重量は通常約 325g です。