販 売 SEMIX303GB12E4、＃セミクロン #SEMIX303GB12E4 新入荷、トレンチ IGBT モジュール 1200V 466A 4000V、#IGBT_Module、#IGBT、#SEMIX303GB12E4
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特徴
•均質なSi
• トレンチ = トレンチゲート テクノロジー
•正の温度係数を持つVCE（sat）
•ハイショート 回路 機能
代表的なアプリケーション*
•ACインバータードライブ
•UPS
• エレクトロニック 溶接備考
• ケース温度は最大 TC=125°C に制限
.• 製品の信頼性の結果は、Tj=150°C に対して有効です。
。絶対最大定格（特に指定のない限り、Tc = 25°C）
コレクター-エミッター 電圧 Vces：1200V
ゲートエミッタ 電圧 VGES：±20V
コレクター電流 IC 連続Tc=25℃：466A
コレクタ電流 Icrm 1ms Tc=25°C :900A
コレクタ消費電力Pc：95W
分離 電圧 VIsol（AC1分）：4000V
動作接合部温度Tj：+ 150°C
保管温度Tstg：-40〜 + 125°C
取付ねじトルク2.5〜5N・m
300g重量