Nexperia は、超高性能、低損失、高効率を必要とする電力用途向けに開発された 650V SiC ショットキー ダイオードをリリースしました。 10A、650V のデバイスは、困難な高負荷の要求を満たす産業グレードの部品です。 電圧 および高電流アプリケーション。 これらは、SMPS、AC/DC および DC-DC コンバーター、バッテリー充電インフラストラクチャー、UPS、太陽光発電インバーターで構成され、より持続可能な運用を可能にします。 たとえば、同社の PSC1065K SiC ショットキー ダイオードを使用して作成された電源を備えたデータセンターは、シリコンベースのソリューションのみを採用している場合よりも、厳しいエネルギー効率基準を満たすことができます。
このダイオードは、優れた FoM (QC x VF) で終了する、温度に依存しない容量性スイッチングとゼロ回復動作を備えた最先端の性能を提供します。 その優れたスイッチング性能は、電流やスイッチング速度の変動にほぼ完全に依存しません。 デバイスの結合された PiN ショットキー構造は、追加の保護回路の必要性を排除するサージ電流に対する並外れた堅牢性など、追加の利点を提供します。 これらの機能により、システムの複雑さが大幅に軽減され、ハードウェア設計者は、堅牢で高電力のアプリケーションにおいて、より小さなフォーム ファクタでより高い効率を実現できます。 デザイナーは、さまざまな分野で高品質の製品を提供するサプライヤーとしての同社の定評により、さらに安心することができます。 半導体 技術。
このダイオードは、リアル 2 ピン (R2P) TO-220-2 スルーホール パワー プラスチック パッケージに封入されています。 追加のパッケージ オプションには、表面実装 (DPAK R2P および D2PAK R2P) とスルーホール (TO-247-2) が含まれており、R2P 構成により、最大 175C の温度で高電圧アプリケーションの信頼性が向上します。
Nexperia の SiC 製品グループのシニア ディレクターである Katrin Feurle は、次のように付け加えています。 ますますエネルギー意識が高まっている世界では、大量の高効率アプリケーションに対する需要が大幅に増加しているため、より多くの選択肢と可用性を市場にもたらしています。」
同社は、650 ～ 1200A の範囲の電流で 6V および 20V の電圧で機能する自動車グレードの部品を組み込むことにより、SiC ダイオードのポートフォリオを継続的に拡大する予定です。 新しいダイオードのサンプルと生産量は現在入手可能です。