トランジスタは同社のMDmeshK6シリーズの一部であり、同様の800Vデバイスに最適なRds（on）x面積を持ち、電力損失を最小限に抑えるためにいくつかのパラメータを強化していると主張しています。「LEDドライバやHIDなどのアプリケーションに特に適しています。ランプ、アダプタ、およびフラットパネルディスプレイ用の電源。
総ゲート電荷（Qg）は低いと主張されています。これは、TO-25.9スルーホールパッケージで提供される220mΩ（最大）16ASTP80N240K6の標準値220nCでSTがバックアップします。
これは生産中の最初のK6デバイスであり、ポートフォリオの残りの部分は22omΩから4.5Ωの範囲で、2022年220月までに完全に生産されます。DPAKおよびTO-XNUMXFPパッケージも追加されます。
ゲートしきい値は、K5世代と比較して削減されており、主にゼロワットのスタンバイで使用する場合に、必要な駆動電圧が削減されるため、電力損失が削減されます。 STP80N240K6のVgsは3〜4V（Vds = Vgs、Id = 100µA）で、標準は3.5Vです。
統合されたESD保護ダイオードは、MOSFETをHuman Body Model（HBM）クラス2に移行します。
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