UnitedSiCがFET-JetCalculatorv2を発表

炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のメーカーであるUnitedSiCは、FET-JetCalculatorのアップグレードを開始しました。

この新しいバージョン（v2）は、SiC FETとショットキーダイオードの選択プロセスを大幅に合理化し、電力に関連するすべての結果の分析を簡素化するように設計されています。

今年26月に最初に発売されたこのシンプルな登録不要のオンラインツールは、さまざまな電源アプリケーションとXNUMXの固有のトポロジで、設計者の選択とパフォーマンスの比較プロセスを容易にします。 より多くの利用可能なトポロジーにより、FET-Jet Calculatorはさらに幅広い電力アプリケーションをサポートし、初めてSiCを使用することを検討している人、または設計に最適なSiCデバイスを探している経験豊富な設計者がUnitedSiCFETにアクセスできるようにします。

エンジニアがAC / DC、DC / DC、およびDC / DCiso電源設計全体で最適なUnitedSiCデバイスを特定できるようにするため、このアップグレードにより、損失と効率の両方のデータを示すインスタント棒グラフの結果が追加されます。 最適なゲートドライブとスナバの推奨事項も表​​示されます。 最後に、推奨されるSiCソリューションが定義されると、すべての入力/出力設計情報をPDF形式で簡単にダウンロードできます。

計算機の最初のバージョンと同様に、ユーザーはアプリケーションの機能とトポロジーを選択し、設計パラメーターの詳細を入力すると、ツールは、導通、ターンオン、およびターンオフの寄与によって分類されたスイッチ電流、効率、および損失を自動的に計算します。 すべてのUnitedSiCFETおよびショットキーダイオードは、最新のGen 4Vデバイスを含むソート可能なテーブルから選択できます。 このツールは、選択が適切でない場合にも警告を発するため、エンジニアは理想的な設計ソリューションをすばやく見つけることができます。

UnitedSiCのエンジニアリング担当副社長であるAnupBhalla氏は、次のように述べています。「FET-Jet Calculatorの目的は、常に、適切な電力トポロジで適切なデバイスをできるだけ簡単に選択できるようにすることです。 これらのアップデートにより、SiCへの切り替えの障壁を取り除き続けています。 最も重要なパフォーマンスデータを簡単かつ瞬時に表示する直感的なUIは、不適切なデバイスをすばやく割り引くことで研究開発をスピードアップします。」

UnitedSiC FET-Jet Calculatorは無料で使用でき、登録は不要です。