데이터시트:ZXT12P12DX제품 사진:8-MSOP8-TSSOP 8-MSOP표준 패키지:4,000범주:이산형 반도체 제품군:트랜지스터(BJT) – 어레이시리즈:-포장:테이프 및 릴(TR)트랜지스터 유형:2 PNP(이중)전류 – 컬렉터(IC)(최대):3A 전압 – 콜렉터 이미터 고장(최대):12VVce 포화(최대) @ Ib, Ic:270mV @ 30mA, 3A전류 – 콜렉터 컷오프(최대):100nADC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2VPower – Max:1.04WFrequency – Transition:85MHzMounting Type:Surface MountPackage / Case:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118″, 3.00mm Width)Supplier Device Package:8-MSOP #ZXT12P12DXTC Diodes Inc ZXT12P12DXTC 새로운 소신호 바이폴라 트랜지스터, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-요소, PNP, 실리콘, MO-187AA, MO-187, SUPERSOT4, MSOP-8, ZXT12P12DXTC 사진, ZXT12P12DXTC 가격, #ZXT12P12DXTC 공급업체
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이메일 : sales@shunlongwei.com
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제조업체 부품 번호: ZXT12P12DXTC
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : DIODES INC
부품 패키지 코드: TSSOP
패키지 설명: SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8
Pin Count : 8
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : Diodes Incorporated
위험 순위 : 5.37
수집가 최대 전류 (IC) : 3A
수집기 방출기 전압-최대 : 12V
구성 : 분리, 2 개 요소
DC 전류 이득-최소 (hFE) : 20
JEDEC-95 코드: MO-187AA
JESD-30 코드 : S-PDSO-G8
JESD-609 코드 : e3
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 2
터미널 수 : 8
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 형태 : SQUARE
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
극성 / 채널 유형 : PNP
최대 전력 손실 (Abs) : 1.25W
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주: 기타 트랜지스터
표면 실장 : 예
단자 마감 : 무광 주석 (Sn)
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : DUAL
Time
소신호 양극성 트랜지스터, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 2소자, PNP, 실리콘, MO-187AA, MO-187, SUPERSOT4, MSOP-8
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : DIODES INC
부품 패키지 코드: TSSOP
패키지 설명: SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8
Pin Count : 8
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : Diodes Incorporated
위험 순위 : 5.37
수집가 최대 전류 (IC) : 3A
수집기 방출기 전압-최대 : 12V
구성 : 분리, 2 개 요소
DC 전류 이득-최소 (hFE) : 20
JEDEC-95 코드: MO-187AA
JESD-30 코드 : S-PDSO-G8
JESD-609 코드 : e3
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 2
터미널 수 : 8
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 형태 : SQUARE
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
극성 / 채널 유형 : PNP
최대 전력 손실 (Abs) : 1.25W
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주: 기타 트랜지스터
표면 실장 : 예
단자 마감 : 무광 주석 (Sn)
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : DUAL
Time
소신호 양극성 트랜지스터, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 2소자, PNP, 실리콘, MO-187AA, MO-187, SUPERSOT4, MSOP-8