데이터시트:DMC56606 모든 사양 보기표준 패키지:3,000카테고리:이산형 반도체 제품제품군:트랜지스터(BJT) – 어레이, 프리 바이어스드시리즈:-패키징:테이프 및 릴(TR)트랜지스터 유형:2 NPN – 사전 바이어스(듀얼) 전류 – 컬렉터(IC)(최대):100mAV전압 – 콜렉터 이미터 항복(최대):50VR저항기 – 베이스(R1)(옴):4.7k저항기 – 이미터 베이스(R2)(옴):-DC 전류 게인(hFE)(최소) @ Ic, Vce :160 @ 5mA, 10VVce 포화(최대) @ Ib, Ic:250mV @ 500μA, 10mAC전류 – 컬렉터 차단(최대):500nA주파수 – 전환:-전력 – 최대:150mW장착 유형:표면 실장패키지/케이스:6-SMD, 플랫 리드공급업체 장치 패키지:SMini6-F3-BD동적 카탈로그:NPN 사전 바이어스됨 트랜지스터 어레이다른 이름:DMC566060R-ND #DMC566060R 파나소닉 전자 구성품 – 반도체 제품 DMC566060R 새로운 소신호 양극성 트랜지스터, 0.1AI(C), 50V V(BR)CEO, 2요소, NPN, 실리콘, 할로겐 프리 및 ROHS 준수, SMINI6-F3-B, SC-113DB, 6핀, DMC566060R 사진 , DMC566060R 가격, #DMC566060R 공급업체
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Email: sales@shunlongwei.com
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제조업체 부품 번호: DMC566060R
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : PANASONIC CORP
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
ECCN 코드 : EAR99
HTS 코드 : 8541.21.00.95
제조사: 파나소닉 전자 부품
위험 순위 : 1.78
콜렉터 전류 최대 (IC) : 0.1 A
수집기 방출기 전압-최대 : 50V
구성: 별도의 2개 요소 내장 저항기
DC 전류 이득-최소 (hFE) : 160
JESD-30 코드 : R-PDSO-F6
요소 수 : 2
터미널 수 : 6
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : NPN
최대 전력 손실 (Abs) : 0.15W
하위 범주 : BIP 범용 소 신호
표면 실장 : 예
터미널 형태 : FLAT
터미널 위치 : DUAL
Time
소신호 바이폴라 트랜지스터, 0.1AI(C), 50V V(BR)CEO, 2소자, NPN, 실리콘, 무할로겐 및 ROHS 준수, SMINI6-F3-B, SC-113DB, 6핀
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : PANASONIC CORP
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
ECCN 코드 : EAR99
HTS 코드 : 8541.21.00.95
제조사: 파나소닉 전자 부품
위험 순위 : 1.78
콜렉터 전류 최대 (IC) : 0.1 A
수집기 방출기 전압-최대 : 50V
구성: 별도의 2개 요소 내장 저항기
DC 전류 이득-최소 (hFE) : 160
JESD-30 코드 : R-PDSO-F6
요소 수 : 2
터미널 수 : 6
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : NPN
최대 전력 손실 (Abs) : 0.15W
하위 범주 : BIP 범용 소 신호
표면 실장 : 예
터미널 형태 : FLAT
터미널 위치 : DUAL
Time
소신호 바이폴라 트랜지스터, 0.1AI(C), 50V V(BR)CEO, 2소자, NPN, 실리콘, 무할로겐 및 ROHS 준수, SMINI6-F3-B, SC-113DB, 6핀