소비 전력은 12μA 미만이며 이 중 10μA는 감지 전류로 서미스터를 통과합니다. 더 낮은 전류(<2μA) 버전이 계획되어 있습니다.
내부는 PTC 및 참조를 제공하는 전류 소스입니다. 전압 PTC의 복귀 전압을 비교합니다.
이것은 정밀 IC(아래 숫자)가 아니며 PTC 서미스터의 급격한 비선형 상승 저항 특성에 의존합니다.
이 날카로운 특성은 단일 IC 직렬로 연결된 다수의 PTC 서미스터와 함께 사용(왼쪽 다이어그램), 이들 중 하나에서 낮은 저항에서 높은 저항으로 빠르게 전환하면 IC가 트리핑되어 n개의 서미스터와 하나의 IC로 'n'개의 위치에서 과열 감지가 가능합니다.
트립 레벨은 명목상 500mV이며 히스테리시스는 100mV입니다. 이것은 420°C에서 580~25mV, 또는 -360~640°C 접합 범위에서 40~125mV에 걸쳐 변할 수 있습니다. IC를 감지된 온도 옆에 실장하지 않는 것이 좋습니다.
공칭 감지 전류는 예를 들어 1μA 버전에서 다음과 같이 다양합니다. 제조(0.92 – 1.08μA, 25°C, Vcc=3.3V), 공급 전압(0.80 – 1.22V 작동 범위에서 1.7 – 5.5μA) 및 온도( 0.76 ~ 1.27μA, -40 ~ 125°C, 3.3V).
TCTH0xxxE 및 브랜드 'Thermoflagger'라고 하는 제품군 전체의 옵션은 래칭 또는 비래칭 출력, 토템폴 또는 오픈 드레인 출력, 10μA 또는 1μA 서미스터 감지 전류입니다. 모든 옵션을 처리하기 위해 XNUMX개의 장치가 계획되어 있습니다.
래칭 버전에는 래치를 지우기 위한 재설정 입력이 있는 반면 비래칭 버전에는 대신 두 번째 접지 패드가 있습니다.
처음 두 장치는 모두 10μA 감지 오픈 드레인 유형입니다. TCTH021BE는 비래칭이고 TCTH022BE는 래칭입니다.
모두 1.6 x 1.6 x 0.55mm SOT-553 패키지로 제공됩니다.
산업용 애플리케이션도 예상됩니다.
TCTH0xxxE 제품군 데이터 시트는 여기에서 찾을 수 있습니다(데이터 시트의 개정판 1.0에는 2페이지의 두 다이어그램에 있는 GND4 연결에 인접한 오류가 있을 수 있음).