Annuum SiC vectigal expectatur crescere ad 38% CAGR et attingere $3.39 sescenti in 2025
Pro GaN, consumptor electronicorum, NEVs, et centra telecom/data, in ordine comprehenduntur tres fontes maximorum machinarum GaN consummationis, ad 60%, 20%, et 15%, respective.
Pro SiC, NEVs, generationis/repono potentiae solaris, et stationes incurrens summum tres mercatus maximas repraesentantes ad machinas potentiarum ad 61%, 13%, et 9%, respective.
Nam industria NEV, SiC potentiae machinae maxime late in inverters, OBCs (in phialas tabulas) et DC-DC convertentes utuntur.
GaN et SiC subiecta sunt 5-20 temporibus feliciores fabricandis comparatis translaticiis 8-unc et 12-inch Si subiectis.
Plurimae materiae subiectae sunt, momento moderatae Cree, II-VI, Rehm, ST.
Sinenses commeatus, SICC et Tankeblue inclusis, mercatum subiectum subiecerunt adiuvantibus consilium Sinarum XIV quinque annorum.
In Taiwan duae societates ab Hermes-Epitek (cum subsidiariis EPI et EPISIL), et SAS (cum subsidiariis GW, AWSC, CWT et ATC) forum ingredi conantur.
TAISIC, coniunctim a KENMEC et TAINERGY fundis, 4-inch SiC absolute substratum submittit et active collocans in 6-inch SiC substratum R&D.