NXP Semiconductores maioris industriae miliarium denuntiavit pro 5G industria efficiendi per integrationem GaN Technology in sua multi-chip Module suggestum. Societas affirmat primam esse nuntiationem RF solutiones pro 5G massivarum MIMO, quae altam efficientiam GaN confirmant cum multi- chippis modulorum crassitudine.
Consummatio energiae decrescens est prima meta pro telecomis infrastructura, ubi quodlibet punctum efficientiae numerat. Usus GaN in multi-phip modulorum modulorum auget efficaciam ad 52% ad 2.6GHz — 8% altior quam generationis moduli prioris societatis. Amplius effectionem cum LDMOS et GaN una cum fabrica proprietatis coniunctione evolvit, dans 400MHz band in instanti, quae sinit fieri posse ut radios dilatandi radios una cum potentia amplificante designet.
Haec vis efficientiae et effectus late dilatae nunc praebetur in parvo vestigium 5G multi-stri modulorum eius. Novus portfolio permittit RF tincidunt ut magnitudinem et pondus iunctarum radiorum minuant, adiuvantes operatores mobiles retis mobiles summittentes sumptus 5G super turres cellulosae et tectorum disponendi. In una sarcina, moduli multi scaena transmittunt catenam, 50-Ohm in/exaequantem retiacula et Doherty iungentis — et nunc addit studium moderandi utendi technologiam ultimam Sige. Hic novus gradus in integratione removet necessitatem moderaminis separati analogi IC atque arctius vigilantiam et optimizationem virtutis amplificantis perficiendi dat.
"NXP unicum instrumentum technologiae technologiae 5G infrastructurae dicatae elaboravit quae includit proprietatis LDMOS, GaN et Sige, necnon provectiorem fasciculum et RF designandum IP", dixit Paul Hart, praeses exsecutivus et procurator generalis radiophonicae potestatis in NXP. . "Hoc efficit ut utilitates uniuscuiusque elementi leves et in optimo cuiusque usui casu coniungamus."
Novus modulorum 5G multi-versitatis specimen in Q3 habebit, cum productio postea anno 2021. Novae machinis RapidRF series consiliorum RF tabularum anteriorum sustinebitur quae consilium 5G rationum adiuvabunt accelerant.