"In annis, mosfets magis magisque requiritur ut satis margine contra voltage fluctuationes praebendo 40V et 60V voltages sustinendis 24V input requisitis motoribus in apparatu industriae et stationibus basi, iuxta Rohm. "Praeterea mosfets exspectantur ut altiorem celeritatem mutandi cum inferiore resistentia ad meliorem motorum efficientiam et miniaturizationem emendandam".
Eius 6 generatio 40V et 60V mosfets n-alvei elaboravit, novam generationem p-alvei mosfets exeunte anno proximo nuntiavit. Hi sunt transistores intra quattuor partes complementariae duales, nomine QH8Mx5 vel SH8Mx5 pendentes in sarcina – 2 watt SOP8 vel 1.5W TSMT8 respective (vide tabulam infra).
Currentes ab 3 ad 8.5A discurrentes et in-resistentes 17 ad 90mΩ spatiantur.
Eodem tempore XII partes emisit cum duabus musculis n-canali, nomine QH12Kxx vel SH8Kxx, iterum pendens involucrum (etiam tabula infra).
In pipelino 100V et 150V producta sunt pro instrumento industriae.
Applicationem expectatur cum motoribus pro fans in basi statio et industriae apparatum
n alveo plus p-alveum dual mosfets
| Pars | Vds | Id | potestatem | Rds (on) Vgs=10V |
sarcina |
|---|---|---|---|---|---|
| SH8MB5 | 40V | 8.5A | 2W | 19.4mΩmax | SOP8 (X 6 5 1.75mm x) |
| -40 | -8.5 | 16.8 | |||
| SH8MC5 | 60 | 6.5 | 32 | ||
| -60 | -7 | 33 | |||
| QH8MB5 | 40 | 4.5 | 1.5 | 44 | TSMT8 (X 2.8 3 0.8mm x) |
| -40 | -5 | 41 | |||
| QH8MC5 | 60 | 3 | 90 | ||
| -60 | -3.5 | 91 |
dual n alveo mosfets
| Pars | Vds | Id | potestatem | Rds (on) Vgs=10V |
sarcina |
| SH8KB7 | 40V | 13.5 | 2W | 8.4mΩmax | SOP8 (X 6 5 1.75mm x) |
| SH8KB6 | 8.5 | 19.4 | |||
| SH8KC7 | 60 | 10.5 | 12.4 | ||
| SH8KC6 | 6.5 | 32 | |||
| QH8KB6 | 40 | 8 | 1.5 | 17.7 | TSMT8 (X 2.8 3 0.8mm x) |
| QH8KB5 | 4.5 | 44 | |||
| QH8KC6 | 60 | 5.5 | 30 | ||
| QH8KC5 | 3 | 90 |
Errores tabulae contineant prout transcriptae sunt.