Neperia nuntiat acquisitionem Newport Wafer Fab

Renovatio: III Iulii, 8

Nexperia die 5 mensis Iulii nuntiavit acquisitionem Newport Wafer Fab (NWF) complevisse. Cum acquisitione, Neperia consequitur C% proprietatem Cambrorum Gallium efficiendi facilitas. Nexperia Newport fortis situm in ecosystem Cambrica et Technology evolutionem et operas hodiernas apud Novum Portum situm et alios per regionem obtinebit.

Nexperia est emptoris operas inventariae a Newport Wafer Fab oblatas et secunda maxima particeps in MMXIX factus est. Newport situs complementorum Neperiae aliarumque operationum Europaearum in Manchester et Hamburg, quae etiam notabiles collocationes recentes viderunt.

Annotavit Achim Kempe, dux Neperiae Operationum Muneris: "Lorem ipsum excitatur ad includendum Newport sicut partem vestibuli globalis vestigium nostri. Nexperia incrementum ambitiosum consilia habet et Newportum addito ad semiconductores postulationem globalem crescentem sustinet. Facultatem Novoportum peritissimas turmas operationales habet et munus cruciale habet ut continuum operationum conservet. Simul futura expectamus aedificationem".

Addidit Paulus James, director operationum in Novoporto situs: "Magnum nuntium acquisitio est baculi hic in Newport et communitatis amplioris negotii in regione sicut Neperia multum necessariam obsidionem et stabilitatem in futurum providet. Exspectamus ut pars nexus globalis quadrigis efficiatur et alacres ad vigentem vim hodiernam observandam. Accessiones locales etiam requiri possunt. Placet etiam ut ad oecosystematis localem conferre poterimus.

Nelson praeses Newport discedens dixit: “Mutatio in possessione situs Noviporti momenti gradum significat pro futura facilitate quam pro regione. Laeti sumus quod peritia in summo fine elaborationis siliconis machinis in 200 mm lagano fab tenere possumus dum simul aperimus occasiones novas addendi nobis semiconductor vitae".

The Newport semiconductor productio situs primum anno 1982 conditus est et primitus INMOS nominatus est. Vena capacitas super 35,000 200 mm laganum incipit per mensem tegens amplis technologiarum semiconductorum vndique e mosfets et fossa IGBTs laganum extenuantibus rationibus CMOS, analogo et semiconductoribus compositis. Neperiae opportuna 10 bln USD ambitionem auget ac lineas productas Neperiae in IGBT, Analogia et semiconductores composita in parallelis currenti 8" collocationum apud Manchester et Hamburgum fabs lagani ditavit. Haec comparatio signanter auget facultatem producti autocineti idonei et mercati partem Neperiae.