Minimum Vishay scriptor combined voltage TrenchFET et High Voltage E Series familiae, nunc ex Europa TTI praesto, totam Imaginem Power mosfet poscit. Cum ampla N et P technologiae alvei siliconis canalis cum solutionibus pacandis provectis, per se omnes applicationes conversionis potentiae cum lineo producto perfici possunt. Nunc in 4ta generatione, alta intentione MOSFET Super adiunctae portfolio adhuc modo Technology ducis.
600V et 650V E Series Super junctiones mosfets augentur favore et cum recentissimis fructibus FOM humilibus multa commoda praebent in alta intentione potentiae cum breakthrough perficiendi versus solutiones competitive in foro. Minimum FOM Ron x Qg, Low Ciss et Ultra portae humilis crimen (Qg) cum efficientia superiore per totum onus range.
Applicatio typica areas includunt servientis et telecomis commeatus, SMPS, PFC, accensis fluorescentium saburra accensis, HID accensis, glutino industrialis, inductio calefaciendi, agitationes motoriae, phialas altilium, energiae renovabiles et solares (PV inverters).