TRUMPower suum novum TTG250 GaN FET innixam seriem potentiae adaptantis invexit, quae postulationi 250W solutionum pactarum ob ITE applicationes utendo GaN FET occurrit. Technology ad producendum plus quam duplicem vim densitatis et 15% in pondere peculi cum comparatione ad traditionalem mosfet-fundatur copia. Cum mediocris efficientiae 91-93%, 250W potentia adaptor recentissimas globalis energiae signa efficientiae signa exterioris commeatuum cum suo obsequio ad DoE Level VI satisfacit, dum vim maximam 0.21W maximam consummationem minime infimam praebens.
Potestas adaptor in ultra-pacto 6.81" (L) x 2.64" (W) x 1.3" (H) clausura et instructa vel classe I IEC 320/C14 AC limbi vel classis II IEC 320/C18 AC diverticulum. Unitates praebent summus potentiae densitatem 10.7W/in3 et quinque regulae unius output voltages 12, 19, 24, 48, et 56VDC. Vexillum output iungo est Molex Mini-Fit receptaculum P/N 39-01-2060 cum Molex terminali P/N 45750-3111. Additional connector and cable options are available on request.
Series operatur cum universali extensione 100VAC ad 240VAC et sustinet altitudinum operantium usque ad 5,000m. Temperatura operans est inter -20C ad +60C ambientium, dum linealiter de 100 onere discernens in +40C ad L% onus in +50C. Potestas copiae series proponitur cum regula currente, supra voltageac brevi circuit praesidia. Unitates certae sunt cum MTBF 300,000 horarum minimarum in pleno onere, 25C ambientium, per Telcordiam SR-332.
Copia potentiae recentissimis IEC/EN/UL 62368-1:2014 ITE signa adhaeret. Potestas adaptor cum signis immunitatibusque EMC obtemperat, inter EN55032, CISPR 32/FCC, VCCI classis B (emissiones deductae et radiatae), EN 61000-3-2, EN 61000-3-3, EN 61000-4-2, EN 61000-4-3, EN 61000-4-4; Occurrit etiam industria stellae 61000, scaena ErP 4, CoC terno 5, NRCan et GEMMIS gradu VI signa.